W94AD2KBJX5E备选型号: IS43DR16640B-3DBLI

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  • 触点镀层
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • 数据总线宽度
  • 辐射硬化
  • Winbond Electronics
    IC SDRAM 1GBIT 200MHZ 90VFBGA
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    90-TFBGA
    90
    Volatile
    -25°C~85°C TC
    Tray
    2016
    活跃
    3 (168 Hours)
    90
    AUTO/SELF REFRESH
    1.7V~1.95V
    BOTTOM
    未说明
    1
    1.8V
    0.8mm
    未说明
    不合格
    1.8V
    1.95V
    1.7V
    1Gb 32M x 32
    1
    115mA
    SYNCHRONOUS
    200MHz
    5ns
    DRAM
    Parallel
    32MX32
    3-STATE
    32
    15ns
    16b
    1 Gb
    0.00001A
    COMMON
    8192
    24816
    24816
    13mm
    1.025mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    84-TFBGA
    84
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    84
    AUTO/SELF REFRESH
    1.7V~1.9V
    BOTTOM
    -
    1
    1.8V
    0.8mm
    -
    -
    1.8V
    1.9V
    1.7V
    1Gb 64M x 16
    1
    220mA
    -
    333MHz
    450ps
    DRAM
    Parallel
    64MX16
    3-STATE
    16
    15ns
    16b
    1 Gb
    0.015A
    COMMON
    8192
    48
    48
    12.5mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    Copper, Silver, Tin
    EAR99
    8542.32.00.32
    16b
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