W94AD2KBJX5E备选型号: IS43DR16640B-3DBLI
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- RoHS状态
- 触点镀层
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- HTS代码
- 数据总线宽度
- 辐射硬化
- IC SDRAM 1GBIT 200MHZ 90VFBGA10 Weeks表面贴装表面贴装90-TFBGA90Volatile-25°C~85°C TCTray2016活跃3 (168 Hours)90AUTO/SELF REFRESH1.7V~1.95VBOTTOM未说明11.8V0.8mm未说明不合格1.8V1.95V1.7V1Gb 32M x 321115mASYNCHRONOUS200MHz5nsDRAMParallel32MX323-STATE3215ns16b1 Gb0.00001ACOMMON8192248162481613mm1.025mmROHS3 Compliant-----
- DRAM 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM8 Weeks表面贴装表面贴装84-TFBGA84Volatile-40°C~85°C TATray-活跃3 (168 Hours)84AUTO/SELF REFRESH1.7V~1.9VBOTTOM-11.8V0.8mm--1.8V1.9V1.7V1Gb 64M x 161220mA-333MHz450psDRAMParallel64MX163-STATE1615ns16b1 Gb0.015ACOMMON8192484812.5mm1.2mmROHS3 CompliantCopper, Silver, TinEAR998542.32.00.3216b无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43TR16640BL-125JBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 96-TFBGA | DRAM Chip DDR3L SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.35V 96-Pin TWBGA | 对比 | |
![]() | MT41K128M8DA-107:J | Micron Technology Inc. | 存储器 | 78-TFBGA | DRAM Chip DDR3L SDRAM 1G-Bit 128Mx8 1.35V 78-Pin FBGA | 对比 |
| IS46TR16640A-15GBLA1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 96-TFBGA | DRAM 1G, 1.5V, 1333Mhz DDR3 SDRAM | 对比 |




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