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W971GG6SB25I备选型号: IS43TR16640BL-125JBL

W971GG6SB25I

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

10 Weeks
表面贴装
84-TFBGA
YES
84
Volatile
-40°C~95°C TC
Tray
2011
活跃
3 (168 Hours)
84
AUTO/SELF REFRESH
1.7V~1.9V
BOTTOM
未说明
1
1.8V
0.8mm
未说明
1.8V
1.9V
1.7V
1Gb 64M x 16
1
SYNCHRONOUS
200MHz
400ps
DRAM
Parallel
64MX16
16
15ns
13b
1 Gb
12.5mm
1.2mm
ROHS3 Compliant
-
-
-
-
IS43TR16640BL-125JBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

DRAM Chip DDR3L SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.35V 96-Pin TWBGA

6 Weeks
表面贴装
96-TFBGA
YES
96
Volatile
0°C~95°C TC
Tray
-
活跃
3 (168 Hours)
96
AUTO/SELF REFRESH
1.283V~1.45V
BOTTOM
未说明
1
1.5V
0.8mm
未说明
1.35V
1.575V
1.425V
1Gb 64M x 16
1
SYNCHRONOUS
800MHz
20ns
DRAM
Parallel
64MX16
16
15ns
13b
1 Gb
13mm
1.2mm
ROHS3 Compliant
e1
EAR99
锡银铜
8542.32.00.32
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图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	IS43TR16640BL-125JBL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	存储器	96-TFBGA	DRAM Chip DDR3L SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.35V 96-Pin TWBGA	对比