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首页 全部分类 W9725G6KB-25 vs MT47H64M16NF-25E:M

W9725G6KB-25备选型号: MT47H64M16NF-25E:M

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  • 附加功能
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  • 电压 - 供电
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  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
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  • 输出特性
  • 内存宽度
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  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • 最高频率
  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 数据总线宽度
  • 高度
  • Winbond Electronics
    W9725G6KB-25
    Winbond Electronics
    IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 84BGA
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    84-TFBGA
    84
    Volatile
    0°C~85°C TC
    Tray
    2013
    活跃
    3 (168 Hours)
    84
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.24
    1.7V~1.9V
    BOTTOM
    1
    1.8V
    0.8mm
    84
    1.8V
    1.9V
    1.7V
    256Mb 16M x 16
    1
    110mA
    400MHz
    400ps
    DRAM
    Parallel
    16MX16
    3-STATE
    16
    15ns
    15b
    256 Mb
    0.006A
    800MHz
    COMMON
    8192
    48
    48
    12.5mm
    1.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    MT47H64M16NF-25E:M
    Micron Technology Inc.
    IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    84-TFBGA
    84
    Volatile
    0°C~85°C TC
    Tray
    2013
    活跃
    3 (168 Hours)
    84
    EAR99
    自我更新
    8542.32.00.32
    1.7V~1.9V
    BOTTOM
    1
    1.8V
    0.8mm
    84
    1.8V
    1.9V
    1.7V
    1Gb 64M x 16
    1
    -
    400MHz
    400ps
    DRAM
    Parallel
    64MX16
    3-STATE
    16
    15ns
    16b
    1 Gb
    -
    -
    COMMON
    8192
    48
    48
    12.5mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    Copper, Silver, Tin
    e1
    yes
    Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
    260
    30
    MT47H64M16
    16b
    1.2mm
  • 添加型号
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MT47H64M16NF-25E:M MT47H64M16NF-25E:M Micron Technology Inc. 存储器 84-TFBGA IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA 对比