W9751G6KB25I备选型号: IS42S32200L-6BL
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- JESD-609代码
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- 端子表面处理
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- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 端子间距
- 内存大小
- 端口的数量
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 最高频率
- I/O类型
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 最大电流源
- 资历状况
- 操作模式
- 数据总线宽度
- IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA表面贴装表面贴装84-TFBGA84Volatile165mA-40°C~95°C TCTray2014e1最后一次购买3 (168 Hours)84EAR99Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.281.8VBOTTOM10.8mm512Mb 32M x 161400MHz400psDRAMParallel32MX163-STATE1615ns15b512 Mb0.008A800MHzCOMMON1.9V1.7V8192484812.5mm1.2mm无ROHS3 Compliant-----
- DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA表面贴装表面贴装90-TFBGA90Volatile100mA0°C~70°C TATray--活跃3 (168 Hours)90EAR99-AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.023.3VBOTTOM10.8mm64Mb 2M x 321166MHz5.4nsDRAMParallel2MX323-STATE32-13b64 Mb0.002A-COMMON3.6V3V40961248FP124813mm1.2mm-ROHS3 Compliant8 Weeks100mA不合格SYNCHRONOUS32b
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT47H64M8SH-25E:H | Micron Technology Inc. | 存储器 | 60-TFBGA | IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60FBGA | 对比 |
| IS42S32200L-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 90-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA | 对比 |




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