W9751G8KB25I备选型号: IS42S16100F-7BL

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  • 功能数量
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  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 数据总线宽度
  • 输出特性
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • Winbond Electronics
    DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx8 1.8V 60-Pin WBGA
    表面贴装
    表面贴装
    60-TFBGA
    60
    Volatile
    -40°C~95°C TC
    Tray
    2012
    yes
    最后一次购买
    3 (168 Hours)
    60
    AUTO/SELF REFRESH
    1.7V~1.9V
    BOTTOM
    1
    1.8V
    0.8mm
    1.8V
    1.9V
    1.7V
    512Mb 64M x 8
    1
    110mA
    SYNCHRONOUS
    400MHz
    400ps
    DRAM
    Parallel
    64MX8
    8
    15ns
    16b
    512 Mb
    800MHz
    12.5mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM Chip SDRAM 16M-Bit 1Mx16 3.3V 60-Pin Mini-BGA
    表面贴装
    表面贴装
    60-TFBGA
    60
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    -
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    60
    AUTO/SELF REFRESH
    3V~3.6V
    BOTTOM
    1
    3.3V
    0.65mm
    3.3V
    3.6V
    3V
    16Mb 1M x 16
    1
    100mA
    SYNCHRONOUS
    143MHz
    5.5ns
    DRAM
    Parallel
    1MX16
    16
    -
    12b
    16 Mb
    -
    10.1mm
    1.2mm
    符合RoHS标准
    e1
    EAR99
    锡银铜
    8542.32.00.02
    260
    40
    60
    不合格
    16b
    3-STATE
    0.002A
    COMMON
    2048
    1248FP
    1248
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