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W978H2KBQX2E备选型号: 71V35761S166BGI
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
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- 温度等级
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- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 器件厚度
- 辐射硬化
- 无铅
IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 168WFBGA表面贴装168-WFBGAYES168Volatile-25°C~85°C TCTray2016Obsolete3 (168 Hours)168AUTO/SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM1.14V~1.95VBOTTOM11.2V0.5mm1.3V1.14V256Mb 8M x 321SYNCHRONOUS400MHzDRAMParallel8MX323215ns268435456 bit四库页面突发12mm0.8mm12mmROHS3 Compliant----------------------------
SRAM 4 MEG PBSRAM W/ FAST TC-BGA-119166MHz--2009Discontinued3 (168 Hours)119流水线结构-BOTTOM13.3V---512kB1---------14mm2.36mm22mm符合RoHS标准表面贴装e0noTin/Lead (Sn63Pb37)85°C-40°CBALL225166MHz201193.3VINDUSTRIALParallel3.465V3.135V330mA3.5 ns3-STATE17b4.5 Mb0.035ACOMMONSynchronous36b2.15mm无含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 71V35761S166BGI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | BGA | SRAM 4 MEG PBSRAM W/ FAST TC | 对比 |
 | IS43R32800D-5BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 144-LFBGA | DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM | 对比 |
 | 71V35761S200BGG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | BGA | SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM | 对比 |
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