W978H2KBQX2E备选型号: IS43R32800D-5BL
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- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 辐射硬化
- IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 168WFBGA表面贴装168-WFBGAYES168Volatile-25°C~85°C TCTray2016Obsolete3 (168 Hours)168AUTO/SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM1.14V~1.95VBOTTOM11.2V0.5mm1.3V1.14V256Mb 8M x 321SYNCHRONOUS400MHzDRAMParallel8MX323215ns268435456 bit四库页面突发12mm0.8mm12mmROHS3 Compliant-------------------
- DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM表面贴装144-LFBGA-144Volatile0°C~70°C TATray-活跃3 (168 Hours)144AUTO/SELF REFRESH2.3V~2.7VBOTTOM12.5V0.8mm2.7V2.3V256Mb 8M x 321-200MHzDRAMParallel8MX323215ns--12mm1.4mm-ROHS3 Compliant8 Weeks表面贴装EAR998542.32.00.241442.5V480mA460mA700ps32b3-STATE14b256 Mb0.005ACOMMON4096248248无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 71V35761S166BGI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | BGA | SRAM 4 MEG PBSRAM W/ FAST TC | 对比 |
| IS43R32800D-5BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 144-LFBGA | DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM | 对比 | |
![]() | 71V35761S200BGG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | BGA | SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM | 对比 |





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