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首页 全部分类 W978H6KBVX2E vs IS43TR16640BL-125JBL

W978H6KBVX2E备选型号: IS43TR16640BL-125JBL

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  • 座位高度(最大)
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 工作电源电压
  • 访问时间
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • Winbond Electronics
    W978H6KBVX2E
    Winbond Electronics
    IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 134VFBGA
    10 Weeks
    表面贴装
    134-VFBGA
    YES
    134
    Volatile
    -25°C~85°C TC
    Tray
    2016
    活跃
    3 (168 Hours)
    134
    AUTO/SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM
    1.14V~1.95V
    BOTTOM
    1
    1.2V
    0.65mm
    1.3V
    1.14V
    256Mb 16M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    400MHz
    DRAM
    Parallel
    16MX16
    16
    15ns
    268435456 bit
    四库页面突发
    11.5mm
    1mm
    10mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS43TR16640BL-125JBL
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM Chip DDR3L SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.35V 96-Pin TWBGA
    6 Weeks
    表面贴装
    96-TFBGA
    YES
    96
    Volatile
    0°C~95°C TC
    Tray
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    96
    AUTO/SELF REFRESH
    1.283V~1.45V
    BOTTOM
    1
    1.5V
    0.8mm
    1.575V
    1.425V
    1Gb 64M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    800MHz
    DRAM
    Parallel
    64MX16
    16
    15ns
    -
    -
    13mm
    1.2mm
    -
    ROHS3 Compliant
    e1
    EAR99
    锡银铜
    8542.32.00.32
    未说明
    未说明
    1.35V
    20ns
    13b
    1 Gb
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