W97AH6KBVX2I备选型号: IS43TR16640BL-125JBL
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 电源电压-最大值(Vsup)
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- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
- 访问模式
- 长度
- 座位高度(最大)
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- RoHS状态
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 工作电源电压
- 访问时间
- 地址总线宽度
- 密度
- IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 134VFBGA10 Weeks表面贴装134-VFBGAYES134Volatile-40°C~85°C TATray2016活跃3 (168 Hours)134SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM1.14V~1.95VBOTTOM未说明11.2V0.65mm未说明1.3V1.14V1Gb 64M x 161SYNCHRONOUS400MHzDRAMParallel64MX161615ns1073741824 bit多库页面突发11.5mm1mm10mmROHS3 Compliant--------
- DRAM Chip DDR3L SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.35V 96-Pin TWBGA6 Weeks表面贴装96-TFBGAYES96Volatile0°C~95°C TCTray-活跃3 (168 Hours)96AUTO/SELF REFRESH1.283V~1.45VBOTTOM未说明11.5V0.8mm未说明1.575V1.425V1Gb 64M x 161SYNCHRONOUS800MHzDRAMParallel64MX161615ns--13mm1.2mm-ROHS3 Compliante1EAR99锡银铜8542.32.00.321.35V20ns13b1 Gb
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 71V3577S85PFG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TQFP | SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 8.5ns 100-Pin TQFP Tube/Tray | 对比 |




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