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首页 全部分类 W9825G2JB-6I vs IS42S32800D-6BL

W9825G2JB-6I备选型号: IS42S32800D-6BL

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  • 刷新周期
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  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • Winbond Electronics
    W9825G2JB-6I
    Winbond Electronics
    DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    90-TFBGA
    90
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2011
    活跃
    3 (168 Hours)
    90
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.24
    2.7V~3.6V
    BOTTOM
    1
    3.3V
    0.8mm
    90
    3.3V
    3.6V
    2.7V
    256Mb 8M x 32
    1
    150mA
    166MHz
    5ns
    DRAM
    Parallel
    32b
    8MX32
    32
    12b
    256 Mb
    0.004A
    COMMON
    4096
    1248FP
    1248
    13mm
    1.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS42S32800D-6BL
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 90FBGA
    -
    表面贴装
    表面贴装
    90-TFBGA
    90
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    -
    Obsolete
    2 (1 Year)
    90
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.24
    3V~3.6V
    BOTTOM
    1
    3.3V
    0.8mm
    90
    3.3V
    3.6V
    3V
    256Mb 8M x 32
    1
    180mA
    166MHz
    5.4ns
    DRAM
    Parallel
    32b
    8MX32
    32
    13b
    256 Mb
    0.003A
    COMMON
    4096
    1248FP
    1248
    13mm
    1.2mm
    无
    符合RoHS标准
    e1
    yes
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    260
    40
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