W9825G6JB-6备选型号: IS42S16800F-6BLI
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- 零件状态
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- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 底架
- 引脚数
- 工作电源电压
- 电源电流
- 数据总线宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 无铅
- IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54TFBGA10 Weeks表面贴装54-TFBGAYESVolatile0°C~70°C TATray2016活跃3 (168 Hours)54EAR99AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.243V~3.6VBOTTOM未说明13.3V0.8mm未说明54S-PBGA-B54不合格3.6V3.3V3V256Mb 16M x 161SYNCHRONOUS166MHz5nsDRAMParallel16MX163-STATE160.002A268435456 bitCOMMON81921248FP12488mm1.2mm8mmROHS3 Compliant--------
- DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V6 Weeks表面贴装54-TFBGA-Volatile-40°C~85°C TATray-活跃3 (168 Hours)54EAR99AUTO/SELF REFRESH-3V~3.6VBOTTOM-13.3V0.8mm-54-不合格3.6V-3V128Mb 8M x 161SYNCHRONOUS166MHz5.4nsDRAMParallel8MX163-STATE160.002A-COMMON40961248FP12488mm1.2mm-ROHS3 Compliant表面贴装543.3V120mA16b14b128 Mb无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16800F-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V | 对比 | |
| IS42S16400J-6BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R | 对比 |



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