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首页 全部分类 WPB4002-1E vs FDPF17N60NT

WPB4002-1E备选型号: FDPF17N60NT

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  • 漏源击穿电压
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  • 无铅
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  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    WPB4002-1E
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH Pwr MOSFET 600V 23A 0.36Ohm
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    6.961991g
    23A Ta
    150°C TJ
    Tube
    2013
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    3
    Single
    42 ns
    N-Channel
    360m Ω @ 11.5A, 10V
    2200pF @ 30V
    84nC @ 10V
    130ns
    ±30V
    84 ns
    23A
    30V
    600V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDPF17N60NT
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.27g
    17A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    Single
    48 ns
    N-Channel
    340m Ω @ 8.5A, 10V
    3040pF @ 25V
    65nC @ 10V
    79ns
    ±30V
    62 ns
    17A
    30V
    600V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    SILICON
    UniFET™
    3
    增强型MOSFET
    62.5W
    ISOLATED
    SWITCHING
    5V @ 250μA
    3V
    TO-220AB
    68A
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
    无SVHC
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