ON Semiconductor WPB4002-1E
- 收藏
- 对比
WPB4002-1E
1807-WPB4002-1E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-3P-3, SC-65-3
大陆
立即发货

MOSFET N-CH Pwr MOSFET 600V 23A 0.36Ohm
--最小包装量--
WPB4002-1E详情
ON Semiconductor WPB4002-1E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
引脚数
3
质量
6.961991g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
23A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta 220W Tc
Turn Off Delay Time
234 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
引脚数量
3
元素配置
Single
接通延迟时间
42 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
360m Ω @ 11.5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2200pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
84nC @ 10V
上升时间
130ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
84 ns
连续放电电流(ID)
23A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
600V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
WPB4002-1E拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor









哦! 它是空的。