XC18V512SOG20C备选型号: CY14B512I-SFXI
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- 端子表面处理
- 电压 - 供电
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- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
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- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 可编程类型
- 时钟频率
- 组织结构
- 内存宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 访问时间(最大)
- 并行/串行
- 内存IC类型
- 数据保持时间
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 底架
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 资历状况
- 界面
- 内存大小
- 电源电流
- 操作模式
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 字长
- IC PROM REPROGR 512KB 20-SOIC10 Weeks表面贴装20-SOIC (0.295, 7.50mm Width)YES200°C~70°CTray1999e3yes活跃3 (168 Hours)20EAR99Matte Tin (Sn)3V~3.6VDUAL鸥翼26013.3V1.27mm30XC18V512203.3V3.6V3V系统内可编程33MHz64KX88512 kb0.01A15 nsPARALLEL/SERIAL配置存储器2012.827mm2.6416mm7.5184mm无ROHS3 Compliant--------------
- IC NVSRAM 512KBIT 3.4MHZ 16SOIC10 Weeks表面贴装16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)-16-40°C~85°C TATube2008e3-最后一次购买3 (168 Hours)16EAR99Matte Tin (Sn)2.7V~3.6VDUAL-26013V1.27mm40CY14B512163V3.6V2.7V-3.4MHz64KX88512 kb0.00025A----10.2865mm2.667mm--ROHS3 Compliant表面贴装Non-Volatile8542.32.00.411W不合格2-Wire, I2C, Serial512Kb 64K x 81mASYNCHRONOUS900 nsNVSRAMI2C8b8b
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CY14B512I-SFXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | IC NVSRAM 512KBIT 3.4MHZ 16SOIC | 对比 | |
| CY14B512I-SFXIT | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | NVRAM 512Kb 3V 3.4Mhz 64K x 8 SPI nvSRAM | 对比 | |
![]() | AT17LV256-10SU | Microchip Technology | 存储器 - 用于 FPGA 的配置 PROM | 20-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | EEPROM Serial-2Wire 256K-bit 256K x 1 3.3V/5V 20-Pin SOIC W Tube | 对比 |



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