XC18V512SOG20C备选型号: CY14B512I-SFXIT

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  • 端子表面处理
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  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
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  • 内存宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
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  • 并行/串行
  • 内存IC类型
  • 数据保持时间
  • 长度
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • HTS代码
  • 最大功率耗散
  • 资历状况
  • 界面
  • 内存大小
  • 操作模式
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 数据总线宽度
  • Xilinx Inc.
    IC PROM REPROGR 512KB 20-SOIC
    10 Weeks
    表面贴装
    20-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    YES
    20
    0°C~70°C
    Tray
    1999
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    20
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    3V~3.6V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    3.3V
    1.27mm
    30
    XC18V512
    20
    3.3V
    3.6V
    3V
    系统内可编程
    33MHz
    64KX8
    8
    512 kb
    0.01A
    15 ns
    PARALLEL/SERIAL
    配置存储器
    20
    12.827mm
    2.6416mm
    7.5184mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    NVRAM 512Kb 3V 3.4Mhz 64K x 8 SPI nvSRAM
    10 Weeks
    表面贴装
    16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    YES
    16
    -40°C~85°C TA
    Tape & Reel (TR)
    1996
    e3
    -
    最后一次购买
    3 (168 Hours)
    16
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    2.7V~3.6V
    DUAL
    -
    260
    1
    3V
    1.27mm
    40
    CY14B512
    16
    3V
    3.6V
    2.7V
    -
    3.4MHz
    64KX8
    8
    512 kb
    0.00025A
    -
    -
    -
    -
    10.2865mm
    2.667mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Non-Volatile
    8542.32.00.41
    1W
    不合格
    2-Wire, I2C, Serial
    512Kb 64K x 8
    SYNCHRONOUS
    900 ns
    NVSRAM
    I2C
    8b
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