XN0111400L备选型号: 2DC4617QLP-7
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- 电压 - 额定直流
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- 功率 - 最大
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 电阻基(R1)
- 电阻-发射极基极(R2)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 极性
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 增益带宽积
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5表面贴装表面贴装SC-74A, SOT-753Mini5-G150VTape & Reel (TR)2004Obsolete1 (Unlimited)-50V300mW-100mA300mW2 PNP - Pre-Biased (Dual)250mV100mA80 @ 5mA 10V500nA250mV @ 300μA, 10mA50V50V80MHz10kOhms47kOhms符合RoHS标准含铅-----------------------------
- Trans GP BJT PNP 50V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R表面贴装表面贴装3-UFDFN-50VTape & Reel (TR)2015活跃1 (Unlimited)-250mW--NPN50V100mA120 @ 1mA 6V100nA ICBO200mV @ 5mA, 50mA-50V---ROHS3 Compliant-19 Weeks3SILICON-55°C~150°C TJe4yes3EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)HIGH RELIABILITYBOTTOM260100MHz402DC46173PNPSingle250mWCOLLECTOR100MHz100MHz50V5V470μm1mm600μm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2PD601AR,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 50V 0.1A SC-59 | 对比 |
![]() | 2DC4617QLP-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | 3-UFDFN | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R | 对比 |
| 2SA2154CT-GR,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | SC-101, SOT-883 | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin SOT-883 | 对比 |





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