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XP162A12A6PR-G备选型号: RE1C002UNTCL
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- 包装
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- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 无铅
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT8910 Weeks表面贴装表面贴装TO-243AA2.5A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2012活跃1 (Unlimited)EAR99Single增强型MOSFETP-Channel170m Ω @ 1.5A, 4.5V310pF @ 10V20V±12V2.5AROHS3 Compliant------------------
MOSFET N-CH 20V 0.2A EMT316 Weeks表面贴装表面贴装SC-89, SOT-490200mA Ta150°C TJCut Tape (CT)2016活跃1 (Unlimited)EAR99SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-Channel1.2 Ω @ 100mA, 2.5V25pF @ 10V-±8V200mAROHS3 CompliantSILICON3DUALFLAT未说明未说明R-PDSO-F31150mW5 nsSWITCHING1V @ 1mA8V0.2A20V150°C850μm无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RE1C001ZPTL | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-89, SOT-490 | MOSFET P-CH 20V 0.1A EMT3 | 对比 |
| RE1C002UNTCL | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-89, SOT-490 | MOSFET N-CH 20V 0.2A EMT3 | 对比 |
 | ZXMN3A01ZTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-243AA | MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89 | 对比 |
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