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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.121756
500
¥0.08953
1000
¥0.074604
2000
¥0.068445
5000
¥0.06397
10000
¥0.059502
15000
¥0.057549
50000
¥0.056585
ROHM Semiconductor RE1C001ZPTL
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- 对比
RE1C001ZPTL
2078-RE1C001ZPTL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-89, SOT-490
大陆
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MOSFET P-CH 20V 0.1A EMT3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
RE1C001ZPTL详情
ROHM Semiconductor RE1C001ZPTL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-89, SOT-490
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
150mW Ta
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2016
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-F3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.8 Ω @ 100mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
15pF @ 10V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±10V
连续放电电流(ID)
100mA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.1A
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
RE1C001ZPTL拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor






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