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首页 全部分类 ZVN3306A vs BS170P

ZVN3306A备选型号: BS170P

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  • 端子表面处理
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 资历状况
  • 晶体管应用
  • 栅源电压
  • Diodes Incorporated
    ZVN3306A
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    3
    453.59237mg
    SILICON
    270mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    5Ohm
    Matte Tin (Sn)
    60V
    BOTTOM
    WIRE
    260
    270mA
    40
    3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    625mW
    5 ns
    N-Channel
    5 Ω @ 500mA, 10V
    2.4V @ 1mA
    35pF @ 18V
    7ns
    ±20V
    7 ns
    270mA
    2.4V
    20V
    0.27A
    60V
    8 pF
    4.01mm
    4.77mm
    2.41mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    BS170P
    Diodes Incorporated
    DIODES INC. BS170P MOSFET Transistor, N Channel, 270 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V
    17 Weeks
    Surface Mount, Through Hole
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    3
    453.59237mg
    SILICON
    270mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    1997
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    5Ohm
    -
    60V
    -
    WIRE
    260
    270mA
    40
    3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    625mW
    10 ns
    N-Channel
    5 Ω @ 200mA, 10V
    3V @ 1mA
    60pF @ 10V
    -
    ±20V
    -
    270mA
    3V
    20V
    0.27A
    60V
    -
    1.1mm
    3mm
    1.4mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    不合格
    SWITCHING
    3 V
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