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首页 全部分类 ZXM64P03XTA vs IRF7606TRPBF

ZXM64P03XTA备选型号: IRF7606TRPBF

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  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 系列
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Diodes Incorporated
    ZXM64P03XTA
    Diodes Incorporated
    MOSFET 30V P Chnl HDMOS
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    139.989945mg
    SILICON
    3.8A Ta
    1V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    75mOhm
    Matte Tin (Sn)
    低阈值
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -3.8A
    40
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.8W
    4.4 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    75m Ω @ 2.4A, 10V
    825pF @ 25V
    46nC @ 10V
    6.2ns
    30V
    ±20V
    6.2 ns
    3.8A
    20V
    950μm
    3.1mm
    3.1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7606TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    -
    SILICON
    1.8W Ta
    1V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2002
    -
    -
    活跃
    2 (1 Year)
    8
    -
    90MOhm
    -
    逻辑电平兼容
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    -
    -3.6A
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    1.8W
    13 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 2.4A, 10V
    520pF @ 25V
    30nC @ 10V
    20ns
    30V
    ±20V
    39 ns
    -3.6A
    20V
    860μm
    3mm
    3mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    HEXFET®
    -30V
    29A
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