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首页 全部分类 ZXMD63C02XTA vs IRF7507TRPBF

ZXMD63C02XTA备选型号: IRF7507TRPBF

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  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • 已出版
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Diodes Incorporated
    ZXMD63C02XTA
    Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    139.989945mg
    2.4A 1.7A
    Cut Tape (CT)
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    270mOhm
    Matte Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    低阈值
    1.04W
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    8
    2
    增强型MOSFET
    1.25W
    3.4 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    130m Ω @ 1.7A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    350pF @ 15V
    6nC @ 4.5V
    9.6ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    9.6 ns
    1.7A
    12V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    950μm
    3.1mm
    3.1mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7507TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    -
    2.4A 1.7A
    Tape & Reel (TR)
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    270mOhm
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    超低电阻
    1.25W
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    -
    -
    增强型MOSFET
    1.25W
    -
    N and P-Channel
    SWITCHING
    140m Ω @ 1.7A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    260pF @ 15V
    8nC @ 4.5V
    -
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    -
    2.4A
    12V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    860μm
    3mm
    3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    HEXFET®
    1998
    IRF7507PBF
    700mV
    19A
    700 mV
    无SVHC
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