Diodes Incorporated ZXMD63P02XTA

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

引脚数

8

质量

139.989945mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

16.4 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

270mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

低阈值

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

1.04W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-1.7A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.25W

接通延迟时间

3.4 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

270m Ω @ 1.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

700mV @ 250μA (Min)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

290pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.25nC @ 4.5V

上升时间

9.6ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

9.6 ns

连续放电电流(ID)

1.7A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

-20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

950μm

长度

3.1mm

宽度

3.1mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅