GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量															厂商																																	操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	建筑学	组织结构	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	密度	记忆密度	筛选水平	并行/串行	内存IC类型	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别	组织的记忆	长度
GS882Z18CGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel							200 MHz		+ 70 C	3.6 V	0 C	2.3 V			GS882Z18CGD																						9 Mbit				130 mA, 155 mA	6.5 ns				512 k x 18
GS8161Z18BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	165	165		13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	5.5 ns	70 °C	无	GS8161Z18BD-250	1048576 words	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR		GSI技术	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.65	BGA							e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	COMMERCIAL			SYNCHRONOUS							1MX18	1.4 mm	18					18874368 bit		PARALLEL	ZBT SRAM	2.7 V	2.3 V			15 mm	13 mm
GS8662T36GE-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	165	165		15 X 17 MM, 1MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8662T36GE-300	2097152 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR		GSI技术	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.67	BGA							e1	有	3A991.B.2.B		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	unknown	R-PBGA-B165	不合格	COMMERCIAL			SYNCHRONOUS							2MX36	1.5 mm	36					75497472 bit		PARALLEL	DDR SRAM	1.9 V	1.7 V			17 mm	15 mm
GS8322Z36E-166	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	165	165				Compliant	15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	GRID ARRAY, LOW PROFILE	BGA	8.35	GSI TECHNOLOGY	Obsolete	GSI技术	RECTANGULAR	LBGA	2.5 V	1048576 words	GS8322Z36E-166	无		70 °C	8 ns	未说明	PLASTIC/EPOXY	1000000	3						无	3A991.B.2.B			70 °C	0 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	COMMERCIAL		4	SYNCHRONOUS							1MX36	1.4 mm	36		20 b		36 Mb	37748736 bit		PARALLEL	ZBT SRAM	2.7 V	2.3 V			17 mm	15 mm	无
GS8182Q08BD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR								Compliant	有	200 MHz	+ 70 C	1.9 V		Tray	GS8182Q08BD				SigmaQuad-II		70 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V										18 Mbit	2			500 mA					2 M x 8				20 b	SRAM	18 Mb							SRAM				无
GS8672D38BGE-633I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel							633 MHz		+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V																									72 Mbit				2.76 A					2 M x 36							72
GS88136CGT-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	表面贴装	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C		2.3 V	SMD/SMT	Parallel	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	QFP	5.28	GSI TECHNOLOGY	活跃	GSI技术	RECTANGULAR	LQFP	3.3 V	GS88136CGT-200I	有	85 °C	未说明	-40 °C	UNSPECIFIED	256000	Industrial grade			153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	-40 to 85 °C		GS88136CGT			3A991.B.2.B					ALSO OPERATES WITH 2.3V TO 2.7V SUPPLY, FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	8542.32.00.41		CMOS		QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	R-XQFP-G100	不合格	INDUSTRIAL	9 Mbit	1	SYNCHRONOUS		160 mA, 190 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined	256 k x 36	1.6 mm	36		17 Bit		9 Mbit	9437184 bit	Industrial	SERIAL	缓存SRAM	3.6 V	3 V			20 mm	14 mm
GS842Z36CGB-100	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	0 C	84	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR								Compliant	有	100 MHz	+ 70 C	3.6 V		Bulk	GS842Z36CGB				NBT Pipeline/Flow Through		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage												4 Mbit	4			110 mA, 120 mA	12 ns				128 k x 36				17 b	SRAM	4 Mb							SRAM				无
GS8182Q18BD-167	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	N	DDR								有	167 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C		Tray	GS8182Q18BD				SigmaQuad-II						Memory & Data Storage												18 Mbit				435 mA	500 ps				1 M x 18					SRAM								SRAM
GS880F32CGT-7.5	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR								有	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT		Tray	GS880F32CGT				流过						Memory & Data Storage												9 Mbit				130 mA	7.5 ns				256 k x 32					SRAM								SRAM
GS880E36CGT-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR								有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		Tray	GS880E36CGT				DCD						Memory & Data Storage												9 Mbit				155 mA, 195 mA	5.5 ns				256 k x 36					SRAM								SRAM
GS8161Z32DGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	SDR		LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	70 °C	有	GS8161Z32DGD-200	524288 words	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.3	BGA			Compliant	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM		Bulk	GS8161Z32DGD			3A991.B.2.B	NBT		70 °C	0 °C	FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165		COMMERCIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS		210 mA	6.5 ns				512 k x 32	1.4 mm	32		19 b	SRAM	18 Mb	16777216 bit		PARALLEL	ZBT SRAM	2.7 V	2.3 V	SRAM		15 mm	13 mm	无
GS8672Q20BGE-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II								有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C		Tray	GS8672Q20BGE				SigmaQuad-II+ B2		100 °C	-40 °C			Memory & Data Storage		1.8 V										72 Mbit	2			1.63 A					4 M x 18				21 b	SRAM	72 Mb	72						SRAM				无
GS842Z18CGB-166	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	119		表面贴装	2.7, 3.6 V	18 Bit	256 kWords	Synchronous	2.3, 3 V	2.5, 3.3 V	SDR	FBGA	Compliant	166 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		2.3 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade					0 to 85 °C	Bulk							85 °C	0 °C															4 Mbit	2			125 mA, 140 mA	7 ns			Flow-Through/Pipelined	256 k x 18				18 b		4 Mbit		Commercial									无
GS8161Z36DD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR								有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		Tray	GS8161Z36DD				NBT						Memory & Data Storage												18 Mbit				230 mA, 250 mA	5.5 ns				512 k x 36					SRAM								SRAM
GS8672D38BGE-550I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II								有	550 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C		Tray	GS8672D38BGE				SigmaQuad-II+ B4						Memory & Data Storage												72 Mbit				2.46 A					2 M x 36					SRAM								SRAM
GS8161Z32DD-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR								Compliant	有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V		Bulk	GS8161Z32DD				NBT		70 °C	0 °C			Memory & Data Storage												18 Mbit	4			180 mA, 190 mA	7.5 ns				512 k x 32				19 b	SRAM	18 Mb							SRAM				无
GS8160Z36DGT-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Commercial grade						181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V		0 C	0 to 85 °C	Tray	GS8160Z36DGT				NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage												18 Mbit	4			230 mA, 250 mA	5.5 ns			Flow-Through/Pipelined	512 k x 36				19 Bit	SRAM	18 Mbit		Commercial					SRAM
GS8662D38BGD-500	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.7 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	500 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C		15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8662D38BGD-500	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.48	BGA	Commercial grade			500 MHz	QDR	1.8000 V	0 to 85 °C	Tray	GS8662D38BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	COMMERCIAL	72 Mbit	2	SYNCHRONOUS		1.16 A				Pipelined	2 M x 36	1.4 mm	36		19 Bit	SRAM	72 Mbit	75497472 bit	Commercial	PARALLEL	QDR SRAM	1.9 V	1.7 V	SRAM		15 mm	13 mm
GS8182Q18BGD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V		0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8182Q18BGD-300	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.19	BGA	Commercial grade			300 MHz	FBGA	0 to 70 °C	Tray	GS8182Q18BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	COMMERCIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS		800 mA				Pipelined	1 M x 18	1.4 mm	18		19 Bit	SRAM	18 Mbit	18874368 bit	Commercial	PARALLEL	DDR SRAM	1.9 V	1.7 V	SRAM		15 mm	13 mm
GS8673ET18BGK-675I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	BGA-260	YES	260	260-BGA (22x14)	260	有	675 MHz	+ 100 C	1.4 V	- 40 C	8	1.3 V	GSI Technology Inc.	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-IIIe	DDR-III	Tray	GS8673ET	活跃	HBGA,	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	4000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.4 ns	有	GS8673ET18BGK-675I	4194304 words	1.35 V	HBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.42	Industrial grade	675 MHz	1.3500 V	1.3 V	Synchronous	18 Bit	1.4 V	Non-Compliant	-40 to 85 °C	Tray	GS8673ET18BGK			3A991.B.2.B	SigmaDDR-IIIe B2					8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Quad Port, Synchronous	1.3V ~ 1.4V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B260			72 Mbit		SYNCHRONOUS	675 MHz	1.75 A	0.4	SRAM	Parallel		4 M x 18	2.3 mm	18	-		SRAM		72	Industrial	PARALLEL	DDR SRAM	1.4 V	1.3 V	SRAM	4M x 18	22 mm	14 mm
GS8160Z36DGT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TQFP-100	YES	100	100-TQFP (20x14)	100	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 100 C	3.6 V	GSI Technology Inc.	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Tray	GS8160Z36	活跃	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	5.5 ns	85 °C	有	GS8160Z36DGT-250I	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.73	QFP	Industrial grade	181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS8160Z36DGT			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through				PIPELINE ARCHITECTURE, FLOW-THROUGH, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Synchronous, ZBT	2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V	QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格	INDUSTRIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	250 MHz	250 mA, 270 mA	5.5 ns	SRAM	Parallel	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36	1.6 mm	18	-	19 Bit	SRAM	18 Mbit	18874368 bit	Industrial	PARALLEL	ZBT SRAM	2.7 V	2.3 V	SRAM	512K x 36	20 mm	14 mm
GS832136E-166	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	165	165		2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	1048576 words	GS832136E-166	无	70 °C	7 ns	未说明	PLASTIC/EPOXY	1000000		3	GRID ARRAY, LOW PROFILE	LBGA,	5.66	BGA								无	3A991.B.2.B					FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	COMMERCIAL			SYNCHRONOUS							1MX36	1.5 mm	36					37748736 bit		PARALLEL	缓存SRAM	2.7 V	2.3 V			17 mm	15 mm
GS74116AGX-10E	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-48	3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	Details								3.6 V	135			GS74116AGX				Asynchronous						Memory & Data Storage												4 Mbit				105 mA	10 ns				256 k x 16					SRAM								SRAM
GS881Z36CGT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR								有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C		Tray	GS881Z36CGT				NBT Pipeline/Flow Through		85 °C	-40 °C			Memory & Data Storage												9 Mbit	1			175 mA, 215 mA	5.5 ns				256 k x 36				18 b	SRAM	9 Mb							SRAM				无