GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量															厂商																																	操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	建筑学	数据总线宽度	组织结构	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	密度	记忆密度	最高频率	筛选水平	并行/串行	内存IC类型	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别	组织的记忆	长度	宽度
GS81302DT19GE-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II	Commercial grade						450 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	450 MHz	+ 70 C		1.9 V	0 to 85 °C	Tray	GS81302DT19GE				SigmaQuad-II+ B4		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V										144 Mbit	2			1.175 A				Pipelined		8 M x 18				21 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial					SRAM
GS4288S09L-18	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	144	Compliant																95 °C	0 °C					1.8 V																			9 b					24 b		288 Mb		533 MHz										无
GS8662Q18E-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	165	165		15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	4000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	无	GS8662Q18E-250	4194304 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR		GSI技术	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	8.63	BGA								无	3A991.B.2.B					流水线结构	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	COMMERCIAL			SYNCHRONOUS								4MX18	1.5 mm	18					75497472 bit			PARALLEL	标准SRAM	1.9 V	1.7 V			17 mm	15 mm
GS816218DB-200V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-119	YES	119	119	200 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	21	1.7 V	SMD/SMT		Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	BGA,	网格排列	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	70 °C	无	GS816218DB-200V	1048576 words	1.8 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.25	BGA	Commercial grade			1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	18 Bit	2, 2.7 V	Compliant	有	0 to 85 °C	Bulk	GS816218DB			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through		85 °C	0 °C	ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119		COMMERCIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS		190 mA, 195 mA	6.5@Flow-Through/3@P					1 M x 18	1.99 mm	18		20 b	SRAM	18 Mb	18		Commercial	PARALLEL	缓存SRAM	2 V	1.7 V	SRAM		22 mm	14 mm	无
GS8182S08BD-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	375 MHz	+ 70 C		1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	无	GS8182S08BD-375	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.19	BGA	Commercial grade			375 MHz	FBGA	DDR	0 to 70 °C	Tray	GS8182S08BD	e0	无	3A991.B.2.B	SigmaSIO DDR-II	Tin/Lead (Sn/Pb)	70 °C	0 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	not_compliant	R-PBGA-B165	不合格	COMMERCIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS		680 mA				Pipelined		2 M x 8	1.4 mm	8		20 Bit	SRAM	18 Mbit	16777216 bit		Commercial	PARALLEL	DDR SRAM	1.9 V	1.7 V	SRAM		15 mm	13 mm	无
GS8182S36BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	DDR		LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	无	GS8182S36BD-250	524288 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.15	BGA			Compliant	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II		Tray	GS8182S36BD	e0	无	3A991.B.2.B	SigmaSIO DDR-II	Tin/Lead (Sn/Pb)	70 °C	0 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	not_compliant	R-PBGA-B165	不合格	COMMERCIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS		515 mA						512 k x 36	1.4 mm	36		18 b	SRAM	18 Mb	18874368 bit			PARALLEL	DDR SRAM	1.9 V	1.7 V	SRAM		15 mm	13 mm	无
GS816136DD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	SDR		LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	5.5 ns	70 °C	无	GS816136DD-250	524288 words	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.26	BGA			Compliant	有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst		Bulk	GS816136DD			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through		70 °C	0 °C	FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165		COMMERCIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS		230 mA, 250 mA	5.5 ns					512 k x 36	1.4 mm	36		19 b	SRAM	18 Mb	18874368 bit			PARALLEL	缓存SRAM	2.7 V	2.3 V	SRAM		15 mm	13 mm	无
GS8672Q37BE-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	QDR-II	SigmaQuad-II+	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	15	0 C								Compliant	有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V		Tray	GS8672Q37BE				SigmaQuad-II+		70 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V										72 Mbit	2			2.05 A						2 M x 36				20 b	SRAM	72 Mb	72							SRAM				无
GS8160E18DGT-200V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	18	0 C	2.7 V	+ 85 C	200 MHz	有	Commercial grade						200 MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	Compliant	SDR	SyncBurst	GSI技术		GSI技术	0 to 70 °C	Tray	GS8160E18DGT				DCD Synchronous Burst						Memory & Data Storage												18 Mbit	2			190 mA, 195 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined		1 M x 18				20 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial					SRAM
GS8672Q37BE-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II								Compliant	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V		Tray	GS8672Q37BE				SigmaQuad-II+		85 °C	-40 °C			Memory & Data Storage		1.8 V										72 Mbit	2			2.07 A						2 M x 36				20 b	SRAM	72 Mb	72							SRAM				无
GS8672Q37BGE-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II								Compliant	有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V		Tray	GS8672Q37BGE				SigmaQuad-II+		70 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V										72 Mbit	2			2.05 A						2 M x 36				20 b	SRAM	72 Mb	72							SRAM				无
GS8672Q19BE-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II								Compliant	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V		Bulk	GS8672Q19BE				SigmaQuad-II+		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V										72 Mbit	2			1.1 A						4 M x 18				21 b	SRAM	72 Mb	72							SRAM				无
GS8161E18DGT-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	18	- 40 C	2.7 V	+ 85 C	250 MHz	有	Industrial grade						181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	Compliant	SDR	SyncBurst	GSI技术		GSI技术	-40 to 85 °C	Bulk	GS8161E18DGT				DCD Pipeline/Flow Through		85 °C	-40 °C			Memory & Data Storage												18 Mbit	2			225 mA, 245 mA	5.5 ns			Flow-Through/Pipelined		1 M x 18				20 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial					SRAM				无
GS8342T11BGD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR	Commercial grade						400 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	400 MHz	+ 70 C		1.9 V	0 to 85 °C	Bulk	GS8342T11BGD				SigmaQuad-II+		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V										36 Mbit	1			600 mA				Pipelined		4 M x 9				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial					SRAM				无
GS8672T18BE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	0.45 ns	GS8672T18BE-400I	4194304 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.84				Compliant	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	DDR-II		LBGA,		Tray	GS8672T18BE			3A991.B.2.B	SigmaDDR-II		85 °C	-40 °C			Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165			72 Mbit	1	SYNCHRONOUS		1.09 A						4 M x 18	1.5 mm	18		22 b	SRAM	72 Mb	72			PARALLEL	标准SRAM	1.9 V	1.7 V	SRAM		17 mm	15 mm	无
GS8342D19BGD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	Commercial grade						333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	333 MHz	+ 70 C		1.9 V	0 to 85 °C	Bulk	GS8342D19BGD				SigmaQuad-II+ B4		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V										36 Mbit	2			605 mA				Pipelined		2 M x 18				19 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial					SRAM				无
GS8672T19BGE-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR-II								Compliant	有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V		Tray	GS8672T19BGE				SigmaDDR-II+ B2		70 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V										72 Mbit	2			1.17 A						4 M x 18				22 b	SRAM	72 Mb	72							SRAM				无
GS816218DD-150IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Industrial grade						133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	Compliant	有	150 MHz	+ 85 C		2.7 V	-40 to 100 °C	Bulk	GS816218DD				Pipeline/Flow Through		100 °C	-40 °C			Memory & Data Storage												18 Mbit	2			180 mA, 200 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined		1 M x 18				20 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial					SRAM				无
GS816118DGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	Compliant	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V		0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	70 °C	有	GS816118DGD-200	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	4.78	BGA	Commercial grade			FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	0 to 70 °C	Bulk	GS816118DGD			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through		70 °C	0 °C	FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165		COMMERCIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS		195 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined		1 M x 18	1.4 mm	18		20 b	SRAM	18 Mbit	18874368 bit		Commercial	PARALLEL	缓存SRAM	2.7 V	2.3 V	SRAM		15 mm	13 mm	无
GS8182Q08BD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	18	- 40 C	1.9 V	+ 85 C	333 MHz	有	Industrial grade						333 MHz	表面贴装	1.9 V	8 Bit	2 MWords	Synchronous	1.7 V	1.8000 V	QDR	FBGA	Compliant	DDR	SigmaQuad-II	GSI技术		GSI技术	-40 to 85 °C	Tray	GS8182Q08BD				SigmaQuad-II		85 °C	-40 °C			Memory & Data Storage		1.8 V										18 Mbit	2			870 mA				Pipelined		2 M x 8				20 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial					SRAM				无
GS816118DGT-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	2.7, 3.6 V	Compliant	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		Industrial grade						153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	18 Bit	-40 to 85 °C	Bulk							85 °C	-40 °C															18 Mbit	2			215 mA	6.5@Flow-Through/3@P					1 M x 18				20 b		18 Mb	18		Industrial									无
GS8182D18BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	BGA-165	YES	165	165-FPBGA (15x13)	165	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	GSI Technology Inc.	Tray	GS8182D18	活跃	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8182D18BGD-300I	1048576 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	4.65	BGA	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	-40°C ~ 85°C (TA)	Tray	GS8182D18BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Quad Port, Synchronous	1.7V ~ 1.9V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	INDUSTRIAL	18 Mbit		SYNCHRONOUS	300 MHz	495 mA		SRAM	Parallel			1 M x 18	1.4 mm	18	-		SRAM		18874368 bit			PARALLEL	DDR SRAM	1.9 V	1.7 V	SRAM	1M x 18	15 mm	13 mm
GS832018AGT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	100-LQFP	100	100-TQFP (20x14)	GSI Technology Inc.	Industrial grade				181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	Tray	GS832018	活跃	Volatile	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	-40 to 100 °C		-											SRAM - Synchronous, Standard	2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V										36Mbit	2		250 MHz	235 mA, 275 mA	5.5 ns	SRAM	Parallel	Flow-Through/Pipelined		2 M x 18			-	21 Bit		36 Mbit			Industrial						2M x 18
GS8182Q36BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	BGA-165	YES	165	165-FPBGA (15x13)	165	300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	GSI Technology Inc.	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	Tray	GS8182Q36	活跃	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8182Q36BGD-300I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	4.64	BGA	Industrial grade	-40 to 85 °C	Tray	GS8182Q36BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Quad Port, Synchronous	1.7V ~ 1.9V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	INDUSTRIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	300 MHz	945 mA		SRAM	Parallel	Pipelined		512 k x 36	1.4 mm	36	-	18 Bit	SRAM	18 Mbit	18874368 bit		Industrial	PARALLEL	DDR SRAM	1.9 V	1.7 V	SRAM	512K x 36	15 mm	13 mm
GS8162Z36DGD-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	表面贴装	BGA-165	YES	165	165-FPBGA (15x13)	165	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	2.7 V	GSI Technology Inc.	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Tray	GS8162Z36	活跃	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	5.5 ns	85 °C	有	GS8162Z36DGD-250IV	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	4.77	BGA	Industrial grade	181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS8162Z36DGD			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through				FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Synchronous, ZBT	1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	INDUSTRIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	250 MHz	245 mA, 265 mA	5.5 ns	SRAM	Parallel	Flow-Through/Pipelined		512 k x 36	1.4 mm	36	-	19 Bit	SRAM	18 Mbit	18874368 bit		Industrial	PARALLEL	ZBT SRAM	2 V	1.7 V	SRAM	512K x 36	15 mm	13 mm