GSI Technology GS816118DGT-200I
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GS816118DGT-200I
2984-GS816118DGT-200I
存储器
TQFP-100
大陆
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Cache SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
1最小包装量--
GS816118DGT-200I详情
GSI Technology GS816118DGT-200I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TQFP-100
引脚数
100
Maximum Clock Rate
153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz
Typical Operating Supply Voltage
2.5, 3.3 V
Minimum Operating Supply Voltage
2.3, 3 V
Timing Type
Synchronous
Number of I/O Lines
18 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
2.7, 3.6 V
RoHS
Compliant
Maximum Clock Frequency
200 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Supply Voltage-Max
3.6 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Supply Voltage-Min
2.3 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40 to 85 °C
包装
Bulk
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
内存大小
18 Mbit
端口的数量
2
电源电流-最大值
215 mA
访问时间
6.5@Flow-Through/3@P
组织结构
1 M x 18
地址总线宽度
20 b
密度
18 Mb
记忆密度
18
筛选水平
Industrial
辐射硬化
无
GS816118DGT-200I拓展信息
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