GSI Technology GS8672T18BE-400I
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GS8672T18BE-400I
2984-GS8672T18BE-400I
存储器
BGA-165
大陆
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Standard SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
1最小包装量--
GS8672T18BE-400I详情
GSI Technology GS8672T18BE-400I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
包装/外壳
BGA-165
表面安装
YES
终端数量
165
RoHS
Compliant
Moisture Sensitive
有
Maximum Clock Frequency
400 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Supply Voltage-Max
1.9 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
15
Supply Voltage-Min
1.7 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Manufacturer
GSI技术
Brand
GSI技术
Tradename
SigmaDDR-II
Memory Types
DDR-II
Package Description
LBGA,
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Number of Words Code
4000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Access Time-Max
0.45 ns
Manufacturer Part Number
GS8672T18BE-400I
Number of Words
4194304 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
LBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Risk Rank
5.84
系列
GS8672T18BE
包装
Tray
ECCN 代码
3A991.B.2.B
类型
SigmaDDR-II
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
子类别
Memory & Data Storage
技术
CMOS
电压 - 供电
1.8 V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B165
内存大小
72 Mbit
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
1.09 A
组织结构
4 M x 18
座位高度-最大
1.5 mm
内存宽度
18
地址总线宽度
22 b
产品类别
SRAM
密度
72 Mb
记忆密度
72
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
电压 - 供电 (最大值)
1.9 V
电压 - 供电 (最小值)
1.7 V
产品类别
SRAM
宽度
15 mm
长度
17 mm
辐射硬化
无
GS8672T18BE-400I拓展信息
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