GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量																厂商																																			操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别	组织的记忆
GS8342T36BGD-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaCIO DDR-II	DDR	Industrial grade						350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V		- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Bulk	GS8342T36BGD				SigmaDDR-II B2		100 °C	-40 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											36 Mbit	1			735 mA				Pipelined	1 M x 36					20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM				无
GS8672T19BGE-375I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel							Compliant		375 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C		Bulk							100 °C	-40 °C					1.8 V											72 Mbit	2			1.04 A					4 M x 18					22 b		72 Mb		72												无
GS8182S09BD-167	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	DDR								Compliant	有	167 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V		Tray	GS8182S09BD				SigmaSIO DDR-II		70 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											18 Mbit	2			315 mA					2 M x 9					20 b	SRAM	18 Mb										SRAM				无
GS8342S36BD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	DDR	Industrial grade						250 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V		- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Bulk	GS8342S36BD				SigmaSIO DDR-II		100 °C	-40 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											36 Mbit	2			685 mA				Pipelined	1 M x 36					19 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM				无
GS816132DD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165		GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	5.5 ns	BGA	5.31	GSI TECHNOLOGY	活跃	RECTANGULAR	LBGA	2.5 V	524288 words	GS816132DD-250I	无	85 °C			Compliant	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	LBGA,		Bulk	GS816132DD			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through		85 °C	-40 °C	FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165			INDUSTRIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS		250 mA, 270 mA	5.5 ns				512 k x 32		1.4 mm	32		19 b	SRAM	18 Mb		16777216 bit		PARALLEL		缓存SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM		15 mm	13 mm	无
GS8182D18BD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165		GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS8182D18BD-200I	1048576 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.18	BGA			Compliant	有	200 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	LBGA,		Tray	GS8182D18BD	e0	无	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Lead (Sn/Pb)	85 °C	-40 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	not_compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS		365 mA					1 M x 18		1.4 mm	18		18 b	SRAM	18 Mb		18874368 bit		PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM		15 mm	13 mm	无
GS8342Q37BGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	Commercial grade						200 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	200 MHz	+ 70 C	1.9 V		0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Bulk	GS8342Q37BGD				SigmaQuad-II+ B2		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											36 Mbit	2			640 mA				Pipelined	1 M x 36					19 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM				无
GS8672T36BE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	DDR-II								Compliant	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V		Tray	GS8672T36BE				SigmaDDR-II		85 °C	-40 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											72 Mbit	1			1.45 A					2 M x 36					21 b	SRAM	72 Mb		72								SRAM				无
GS816136DGT-200V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	Compliant	有	200 MHz	+ 70 C	2.7 V		0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	QFP,	FLATPACK	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	70 °C	有	GS816136DGT-200V	1.8 V	QFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.26	QFP	Commercial grade			153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	0 to 85 °C	Bulk	GS816136DGT			3A991.B.2.B	同步突发		85 °C	0 °C	ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	未说明	1		compliant	R-PQFP-G100			COMMERCIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS		205 mA, 210 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined	512 k x 36			36		19 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Commercial	PARALLEL		缓存SRAM		2 V	1.7 V	SRAM				无
GS8161Z18DGD-333IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	200@Flow-Through/333@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	Compliant	333 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C		1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Industrial grade						-40 to 100 °C	Bulk	GS8161Z18DGD						100 °C	-40 °C																18 Mbit	2			240 mA, 300 mA	5 ns			Flow-Through/Pipelined	1 M x 18					20 Bit		18 Mbit			Industrial											无
GS8342QT07BGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	200 MHz	+ 70 C	1.9 V		DDR	SigmaQuad-II+	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	15	0 C	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8342QT07BGD-200	200 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Commercial grade			200 MHz	FBGA	QDR	0 to 85 °C	Bulk	GS8342QT07BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B2	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85 °C	0 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS		555 mA				Pipelined	4 M x 8	3-STATE	1.4 mm	8		21 Bit	SRAM	36 Mbit		33554432 bit	Commercial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM		15 mm	13 mm	无
GS8672T37BGE-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR-II								Compliant	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V		Tray	GS8672T37BGE				SigmaDDR-II+ B2		85 °C	-40 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											72 Mbit	2			1.59 A					2 M x 36					21 b	SRAM	72 Mb		72								SRAM				无
GS8161E18DD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Industrial grade						181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	Compliant	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V		- 40 C	36	2.3 V	-40 to 85 °C	Bulk	GS8161E18DD				DCD Pipeline/Flow Through		85 °C	-40 °C			Memory & Data Storage													18 Mbit	2			230 mA, 250 mA	5.5 ns			Flow-Through/Pipelined	1 M x 18					20 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial							SRAM				无
GS8320E32AGT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	9 Weeks, 6 Days	TQFP-100	YES	100	100	Synchronous	32 Bit	2, 2.7 V	Compliant	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	18	2.3 V		SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	LQFP, QFP100,.63X.87	FLATPACK, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	-40 °C	未说明	5.5 ns	85 °C	有	GS8320E32AGT-250I	250 MHz	1048576 words	1.8 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M	GSI TECHNOLOGY	1.79	QFP	Industrial grade			181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	-40 to 100 °C	Bulk	GS8320E32AGT			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through		100 °C	-40 °C	ALSO OPERATED WITH 2.5V SUPPLY; PIPELINE/FLOW THROUGH ARCHITECTURE	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格	2.5/3.3 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	4	SYNCHRONOUS		250 mA, 305 mA	5.5@Flow-Through/3@P				1 M x 32	3-STATE	1.6 mm	32		20 b	SRAM	36 Mb	0.04 A	36	Industrial	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	2.3 V	2 V	1.7 V	SRAM		20 mm	14 mm	无
GS8182S18BGD-167	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	DDR								Compliant	有	167 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V		Tray	GS8182S18BGD				SigmaSIO DDR-II		70 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											18 Mbit	2			315 mA					1 M x 18					19 b	SRAM	18 Mb										SRAM				无
GS8161E36DD-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	1.7 V	18	- 40 C	2.7 V	+ 85 C	Industrial grade						181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	Compliant	有	250 MHz	SDR	SyncBurst		GSI技术	GSI技术	Parallel	-40 to 85 °C	Bulk	GS8161E36DD				DCD Pipeline/Flow Through		85 °C	-40 °C			Memory & Data Storage													18 Mbit	4			245 mA, 265 mA	5.5 ns			Flow-Through/Pipelined	512 k x 36					19 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial							SRAM				无
GS88036CGT-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	TQFP-100	YES	100	100-TQFP (20x14)	100	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	GSI Technology Inc.	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Tray	GS88036	活跃	LQFP, QFP100,.63X.87	FLATPACK, LOW PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	-40 °C	未说明	5 ns	85 °C	有	GS88036CGT-300I	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.66	QFP	Industrial grade	200@Flow-Through/300@Pipelined MHz	TQFP	-40 to 85 °C	Tray	GS88036CGT	e3	有	3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through	纯哑光锡			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Synchronous, Standard	2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格	2.5/3.3 V	INDUSTRIAL	9 Mbit	4	SYNCHRONOUS	300 MHz	185 mA, 245 mA	5 ns	SRAM	Parallel	Flow-Through/Pipelined	256 k x 36	3-STATE	1.6 mm	36	-	18 Bit	SRAM	9 Mbit	0.045 A	9437184 bit	Industrial	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	2.3 V	2.7 V	2.3 V	SRAM	256K x 36	20 mm	14 mm
GS8161E18DD-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Industrial grade						181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	Compliant	有	250 MHz	+ 85 C	2.7 V		- 40 C	18	1.7 V	-40 to 85 °C	Bulk	GS8161E18DD				DCD Pipeline/Flow Through		85 °C	-40 °C			Memory & Data Storage													18 Mbit	2			225 mA, 245 mA	5.5 ns			Flow-Through/Pipelined	1 M x 18					20 Bit	SRAM	18 Mb			Industrial							SRAM				无
GS88032CGT-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Commercial grade						200@Flow-Through/300@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	32 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	Compliant	有	300 MHz	+ 70 C	3.6 V		0 C	36	2.3 V	0 to 70 °C	Tray	GS88032CGT				Pipeline/Flow Through		70 °C	0 °C			Memory & Data Storage													9 Mbit	4			165 mA, 225 mA	5 ns			Flow-Through/Pipelined	256 k x 32					18 Bit	SRAM	9 Mbit			Commercial							SRAM				无
GS8182Q18BGD-167I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	LBGA,		GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.5 ns	85 °C	有	GS8182Q18BGD-167I	1048576 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.19	BGA			Compliant	有	167 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR		Tray	GS8182Q18BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85 °C	-40 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS		445 mA					1 M x 18		1.4 mm	18		19 b	SRAM	18 Mb		18874368 bit		PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM		15 mm	13 mm	无
GS8182Q36BGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	LBGA,		GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8182Q36BGD-250I	524288 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.19	BGA			Compliant	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR		Tray	GS8182Q36BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85 °C	-40 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS		670 mA					512 k x 36		1.4 mm	36		18 b	SRAM	18 Mb		18874368 bit		PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM		15 mm	13 mm	无
GS8342D08BD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V		- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	0.45 ns	85 °C	无	GS8342D08BD-250I	250 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.35	BGA	Industrial grade			250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	-40 to 100 °C	Bulk	GS8342D08BD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II		100 °C	-40 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS		470 mA				Pipelined	4 M x 8	3-STATE	1.4 mm	8		20 Bit	SRAM	36 Mbit	0.195 A	33554432 bit	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM		15 mm	13 mm	无
GS8342TT20BGD-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR	Industrial grade						350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V		- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Bulk	GS8342TT20BGD				SigmaQuad-II+		100 °C	-40 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											36 Mbit	1			575 mA				Pipelined	2 M x 18					20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM				无
GS8321E32AD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Industrial grade						181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	32 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	Compliant	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V		- 40 C	18	2.3 V	-40 to 100 °C	Bulk	GS8321E32AD				DCD Pipeline/Flow Through		100 °C	-40 °C			Memory & Data Storage													36 Mbit	4			250 mA, 305 mA	5.5 ns			Flow-Through/Pipelined	1 M x 32					20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM				无
GS816018DGT-200IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	Compliant	有	200 MHz	+ 100 C	3.6 V	- 40 C		18	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	有	GS816018DGT-200IV	1.8 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.32	QFP	Industrial grade			TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	-40 to 100 °C	Bulk	GS816018DGT			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through		100 °C	-40 °C	ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100			INDUSTRIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS		215 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined	1 M x 18		1.6 mm	18		21 b	SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Industrial	PARALLEL		缓存SRAM		2 V	1.7 V	SRAM		20 mm	14 mm	无