GSI Technology GS816136DGT-200V

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

TQFP-100

表面安装

YES

引脚数

100

终端数量

100

Maximum Clock Rate

153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz

Supplier Package

TQFP

Data Rate Architecture

SDR

Typical Operating Supply Voltage

1.8, 2.5 V

Minimum Operating Supply Voltage

1.7, 2.3 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

512 kWords

Number of I/O Lines

36 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

2, 2.7 V

Mounting

表面贴装

RoHS

Compliant

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

200 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 70 C

Supply Voltage-Max

2.7 V

Minimum Operating Temperature

0 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

18

Supply Voltage-Min

1.7 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SyncBurst

Memory Types

SDR

Package Description

QFP,

Package Style

FLATPACK

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

6.5 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GS816136DGT-200V

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

QFP

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.26

Part Package Code

QFP

Usage Level

Commercial grade

操作温度

0 to 85 °C

包装

Bulk

系列

GS816136DGT

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

同步突发

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

ALSO OPERATES AT 2.5V

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PQFP-G100

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

18 Mbit

端口的数量

4

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

205 mA, 210 mA

访问时间

6.5 ns

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

512 k x 36

内存宽度

36

地址总线宽度

19 Bit

产品类别

SRAM

密度

18 Mbit

记忆密度

18874368 bit

筛选水平

Commercial

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

缓存SRAM

电压 - 供电 （最大值）

2 V

电压 - 供电 （最小值）

1.7 V

产品类别

SRAM

辐射硬化

无