GSI Technology GS8320E32AGT-250I
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GS8320E32AGT-250I
2984-GS8320E32AGT-250I
存储器
TQFP-100
大陆
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Cache SRAM, 1MX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
1最小包装量--
GS8320E32AGT-250I详情
GSI Technology GS8320E32AGT-250I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
9 Weeks, 6 Days
包装/外壳
TQFP-100
表面安装
YES
引脚数
100
终端数量
100
Maximum Clock Rate
181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz
Supplier Package
TQFP
Typical Operating Supply Voltage
1.8, 2.5 V
Minimum Operating Supply Voltage
1.7, 2.3 V
Timing Type
Synchronous
Number of I/O Lines
32 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
2, 2.7 V
RoHS
Compliant
Moisture Sensitive
有
Maximum Clock Frequency
250 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Supply Voltage-Max
3.6 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
18
Supply Voltage-Min
2.3 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Manufacturer
GSI技术
Brand
GSI技术
Tradename
SyncBurst
Memory Types
SDR
Package Description
LQFP, QFP100,.63X.87
Package Style
FLATPACK, LOW PROFILE
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
QFP100,.63X.87
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
5.5 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
GS8320E32AGT-250I
Clock Frequency-Max (fCLK)
250 MHz
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
LQFP
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
活跃
Samacsys Description
SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Risk Rank
1.79
Part Package Code
QFP
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40 to 100 °C
包装
Bulk
系列
GS8320E32AGT
ECCN 代码
3A991.B.2.B
类型
Pipeline/Flow Through
最高工作温度
100 °C
最小工作温度
-40 °C
附加功能
ALSO OPERATED WITH 2.5V SUPPLY; PIPELINE/FLOW THROUGH ARCHITECTURE
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
Memory & Data Storage
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PQFP-G100
资历状况
不合格
电源
2.5/3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
内存大小
36 Mbit
端口的数量
4
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
250 mA, 305 mA
访问时间
5.5@Flow-Through/3@P
组织结构
1 M x 32
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.6 mm
内存宽度
32
地址总线宽度
20 b
产品类别
SRAM
密度
36 Mb
待机电流-最大值
0.04 A
记忆密度
36
筛选水平
Industrial
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
缓存SRAM
待机电压-最小值
2.3 V
电压 - 供电 (最大值)
2 V
电压 - 供电 (最小值)
1.7 V
产品类别
SRAM
宽度
14 mm
长度
20 mm
辐射硬化
无
GS8320E32AGT-250I拓展信息
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