GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	数据率	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	产品类别	长度
GS8342QT19BGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8342QT19BGD-200	200 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Commercial grade	200 MHz	0 to 85 °C	Tray	GS8342QT19BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B2	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	1.7 V	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	555 mA			Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18	20 Bit	SRAM	36 Mbit		37748736 bit	Commercial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8672D18BGE-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II	Details	QDR-II				有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8672D18BGE				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.36 A				4 M x 18					SRAM			72						SRAM
GS8672D38BE-500	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II+	N	QDR-II				有	500 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8672D38BE				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage															72 Mbit			2.23 A				2 M x 36					SRAM			72						SRAM
GS74116AGX-8I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	BGA-48	YES	48	3.6 V	表面贴装	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	135	3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	Details	SDR	TFBGA, BGA48,6X8,30	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	256000	PLASTIC/EPOXY	BGA48,6X8,30	-40 °C	未说明	8 ns	85 °C	有	GS74116AGX-8I	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.2	BGA	Industrial grade	FBGA	3.3000 V	3 V	Asynchronous	256 kWords	16 Bit	-40 to 85 °C		GS74116AGX	e1	有	3A991.B.2.B	Asynchronous	Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)		8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	0.75 mm	compliant	48	R-PBGA-B48	不合格	3.6 V	3.3 V	INDUSTRIAL	3 V	4 Mbit	1	ASYNCHRONOUS	140 mA	8 ns			256 k x 16	3-STATE	1.2 mm	16	18 Bit	SRAM	4 Mbit	0.02 A	4194304 bit	Industrial	PARALLEL	COMMON	标准SRAM	3 V	SRAM	10 mm	6 mm
GS71108AGU-8	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	48	未说明	8 ns	70 °C	有	GS71108AGU-8	131072 words	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA		TFBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	128000	PLASTIC/EPOXY				e1	有	3A991.B.2.B		锡银铜		8542.32.00.41		CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	0.75 mm	compliant	48	R-PBGA-B48	不合格	3.6 V		COMMERCIAL	3 V			ASYNCHRONOUS					128KX8		1.2 mm	8					1048576 bit		PARALLEL		标准SRAM			8 mm	6 mm
GS71108AGU-12I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	48	128000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	12 ns	85 °C	有	GS71108AGU-12I	131072 words	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA		TFBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3				e1	有	3A991.B.2.B		锡银铜		8542.32.00.41		CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	0.75 mm	compliant	48	R-PBGA-B48	不合格	3.6 V		INDUSTRIAL	3 V			ASYNCHRONOUS					128KX8		1.2 mm	8					1048576 bit		PARALLEL		标准SRAM			8 mm	6 mm
GS81302TT07E-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165		450 MHz	FBGA	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 Bit	1.9 V	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR-II			-40 to 100 °C	Tray	GS81302TT07E				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage								165							144 Mbit			1.01 A	0.45			16 M x 8					SRAM			144						SRAM
GS81302S09GE-375I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR-II	Industrial grade				375 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS81302S09GE				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage								165							144 Mbit	2		1.005 A			Pipelined	16 M x 9				23 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial					SRAM
GS881Z32CD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165				有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR		Tray	GS881Z32CD				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															9 Mbit			160 mA, 190 mA	6.5 ns			256 k x 32					SRAM									SRAM
GS81302DT10E-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II	Industrial grade				400 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS81302DT10E				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage								165							144 Mbit	2		1.065 A			Pipelined	16 M x 9				22 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial					SRAM
GS81302D11GE-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	Industrial grade				500 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS81302D11GE				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage								165							144 Mbit	2		1.27 A			Pipelined	16 M x 9				22 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial					SRAM
GS81302T07GE-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	DDR-II	Details	SigmaDDR-II+	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	Industrial grade				350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS81302T07GE				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage								165							144 Mbit	1		810 mA			Pipelined	16 M x 8				23 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial					SRAM
GS882Z36CGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	NBT SRAM	Details	SDR				有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS882Z36CGD				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															9 Mbit			175 mA, 215 mA	5.5 ns			256 k x 36					SRAM									SRAM
GS81302DT38E-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	36 Bit	表面贴装	QDR-II	SigmaQuad-II+	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	10	- 40 C	1.9 V	+ 85 C	500 MHz	有	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS81302DT38E-500I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.06	BGA	Industrial grade	500 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	-40 to 100 °C	Tray	GS81302DT38E		无	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V		INDUSTRIAL	1.7 V	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	1.67 A			Pipelined	4 M x 36		1.5 mm	36	20 Bit	SRAM	144 Mbit		150994944 bit	Industrial	PARALLEL		QDR SRAM		SRAM	17 mm	15 mm
GS74116AX-10E	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-48	135	3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	N				3.6 V			GS74116AX				Asynchronous				Memory & Data Storage															4 Mbit			105 mA	10 ns			256 k x 16					SRAM									SRAM
GS88018CGT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SDR	Details	SyncBurst	Industrial grade				181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	-40 to 85 °C	Tray	GS88018CGT				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage								100							9 Mbit	2		165 mA, 200 mA	5.5 ns		Flow-Through/Pipelined	512 k x 18				19 Bit	SRAM	9 Mbit			Industrial					SRAM
GS81302T37E-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR-II	Industrial grade				350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS81302T37E				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage								165							144 Mbit	1		905 mA			Pipelined	4 M x 36				21 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial					SRAM
GS8673ED18BGK-625I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-260	YES	260	18 Bit	1.4 V	表面贴装	有	625 MHz	+ 100 C	1.4 V	- 40 C	8	1.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-IIIe	Details	DDR	HBGA,	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	4000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	有	GS8673ED18BGK-625I	1.35 V	HBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.73	Industrial grade	625/400 MHz	BGA	QDR	1.3500 V	1.3 V	Synchronous	4 MWords	-40 to 85 °C	Tray	GS8673ED18BGK			3A991.B.2.B	SigmaQuad-IIIe B4			8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	260	R-PBGA-B260		1.4 V			1.3 V	72 Mbit		SYNCHRONOUS	2.11 A		1.25 Gb/s	Pipelined	4 M x 18		2.3 mm	18	20 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Industrial	PARALLEL		DDR SRAM		SRAM	22 mm	14 mm
GS8642Z72C-250M	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-209	NBT SRAM	Military grade				153.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	72 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	250 MHz	+ 125 C	3.6 V	- 55 C	14	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	-55 to 125 °C		GS8642Z72C				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage								209							72 Mbit	8		500 mA	6.5 ns		Flow-Through/Pipelined	1 M x 72				20 Bit	SRAM	72 Mbit			Military					SRAM
GS71108AGU-10	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	48	未说明	10 ns	70 °C	有	GS71108AGU-10	131072 words	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.21	BGA		TFBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	128000	PLASTIC/EPOXY				e1	有	3A991.B.2.B		锡银铜		8542.32.00.41		CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	0.75 mm	compliant	48	R-PBGA-B48	不合格	3.6 V		COMMERCIAL	3 V			ASYNCHRONOUS					128KX8		1.2 mm	8					1048576 bit		PARALLEL		标准SRAM			8 mm	6 mm
GS8673ET18BGK-550	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-260	YES	260	Synchronous	4 MWords	18 Bit	1.4 V	表面贴装	有	550 MHz	+ 85 C	1.4 V	0 C	8	1.25 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-IIIe	Details	DDR-III	HBGA,	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	4000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.4 ns	85 °C	有	GS8673ET18BGK-550	1.3 V	HBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.72	Commercial grade	550/375 MHz	BGA	DDR	1.3500 V	1.25 V	0 to 70 °C	Tray	GS8673ET18BGK			3A991.B.2.B	SigmaDDR-IIIe B2		IT ALSO OPERATES AT 1.35 V TYPICAL VOLTAGE	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	260	R-PBGA-B260		1.4 V		OTHER	1.25 V	72 Mbit		SYNCHRONOUS	1.49 A			Pipelined	4 M x 18		2.3 mm	18		SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Commercial	PARALLEL		DDR SRAM		SRAM	22 mm	14 mm
GS8182T19BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS81302TT19E-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaDDR-II+	N	DDR-II	Commercial grade				450 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	表面贴装	有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	0 to 85 °C	Tray	GS81302TT19E				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage								165							144 Mbit	1		1 A			Pipelined	8 M x 18					SRAM	144 Mbit			Commercial					SRAM
GS81302TT10E-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR-II	Industrial grade				450 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS81302TT10E				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage								165							144 Mbit	1		1.01 A			Pipelined	16 M x 9				23 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial					SRAM
GS71108AGU-7I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	48	85 °C	有	GS71108AGU-7I	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Industrial grade		FBGA	3.3000 V	3 V	Asynchronous	128 kWords	8 Bit	3.6 V	表面贴装	TFBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	128000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	7 ns	-40 to 85 °C			e1	有	3A991.B.2.B		锡银铜		8542.32.00.41		CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	0.75 mm	compliant	48	R-PBGA-B48	不合格	3.6 V		INDUSTRIAL	3 V		1	ASYNCHRONOUS					128KX8		1.2 mm	8	17 Bit		1 Mbit		1048576 bit	Industrial	PARALLEL		标准SRAM			8 mm	6 mm