GSI Technology GS8673ED18BGK-625I

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

BGA-260

表面安装

YES

引脚数

260

终端数量

260

Maximum Clock Rate

625/400 MHz

Supplier Package

BGA

Data Rate Architecture

QDR

Typical Operating Supply Voltage

1.3500 V

Minimum Operating Supply Voltage

1.3 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

4 MWords

Number of I/O Lines

18 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

1.4 V

Mounting

表面贴装

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

625 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 100 C

Supply Voltage-Max

1.4 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

8

Supply Voltage-Min

1.3 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SigmaQuad-IIIe

RoHS

Details

Memory Types

DDR

Package Description

HBGA,

Package Style

GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG

Number of Words Code

4000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GS8673ED18BGK-625I

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.35 V

Package Code

HBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.73

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40 to 85 °C

系列

GS8673ED18BGK

包装

Tray

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

SigmaQuad-IIIe B4

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B260

内存大小

72 Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

2.11 A

数据率

1.25 Gb/s

建筑学

Pipelined

组织结构

4 M x 18

座位高度-最大

2.3 mm

内存宽度

18

地址总线宽度

20 Bit

产品类别

SRAM

密度

72 Mbit

记忆密度

75497472 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

DDR SRAM

电压 - 供电 （最大值）

1.4 V

电压 - 供电 （最小值）

1.3 V

产品类别

SRAM

宽度

14 mm

长度

22 mm