GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量																厂商																																		操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别	组织的记忆	长度
GS8672D36BE-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	N	QDR-II								有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V		Tray	GS8672D36BE				SigmaQuad-II						Memory & Data Storage													72 Mbit				1.48 A					2 M x 36						SRAM			72								SRAM
GS8672D37BE-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II								有	375 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V		Tray	GS8672D37BE				SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage													72 Mbit				1.76 A					2 M x 36						SRAM			72								SRAM
GS8672T18BGE-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	Details	DDR-II								有	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V		Tray	GS8672T18BGE				SigmaDDR-II						Memory & Data Storage													72 Mbit				700 mA					4 M x 18						SRAM			72								SRAM
GS8672Q36BE-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	N	QDR-II								有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V		Tray	GS8672Q36BE				SigmaQuad-II						Memory & Data Storage													72 Mbit				1.6 A					2 M x 36						SRAM			72								SRAM
GS8672D36BGE-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	QDR-II								有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V		Tray	GS8672D36BGE				SigmaQuad-II						Memory & Data Storage													72 Mbit				1.29 A					2 M x 36						SRAM			72								SRAM
GS8672Q36BE-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	N	QDR-II								有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V		Tray	GS8672Q36BE				SigmaQuad-II						Memory & Data Storage													72 Mbit				1.29 A					2 M x 36						SRAM			72								SRAM
GS8182D19BGD-375I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR								有	375 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V		Tray	GS8182D19BGD				SigmaQuad II+						Memory & Data Storage													18 Mbit				580 mA					1 M x 18						SRAM											SRAM
GS8182D36BD-167	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	N	DDR								有	167 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V		Tray	GS8182D36BD				SigmaQuad-II						Memory & Data Storage													18 Mbit				380 mA					512 k x 36						SRAM											SRAM
GS8182D19BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR								有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V		Tray	GS8182D19BGD				SigmaQuad II+						Memory & Data Storage													18 Mbit				500 mA					1 M x 18						SRAM											SRAM
GS8182D36BD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR								有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS8182D36BD				SigmaQuad-II						Memory & Data Storage													18 Mbit				605 mA					512 k x 36						SRAM											SRAM
GS8161Z18DD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR								有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS8161Z18DD				NBT						Memory & Data Storage													18 Mbit				230 mA, 250 mA	5.5 ns				1 M x 18						SRAM											SRAM
GS8182D18BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR								有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS8182D18BD				SigmaQuad-II						Memory & Data Storage													18 Mbit				420 mA					1 M x 18						SRAM											SRAM
GS8672D18BGE-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165							250 MHz	+ 85 C		1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel																										72 Mbit				1 A					4 M x 18									72
GS8162Z18DB-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR								有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS8162Z18DB				NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													18 Mbit				230 mA, 250 mA	5.5 ns				1 M x 18						SRAM											SRAM
GS8342D18BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	表面贴装	BGA-165	YES	165	165-FPBGA (15x13)	165	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	GSI Technology Inc.	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	Tray	GS8342D	活跃	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8342D18BGD-300I	300 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.34	BGA	Industrial grade	300 MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS8342D18BGD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II				流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Quad Port, Synchronous	1.7V ~ 1.9V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	300 MHz	540 mA		SRAM	Parallel	Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18	-	19 Bit	SRAM	36 Mbit	0.21 A	37748736 bit	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	2M x 18	15 mm	13 mm
GS8162Z36DGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	表面贴装	165-LBGA	YES	165	165-FPBGA (15x13)	165	GSI Technology Inc.	85 °C	有	GS8162Z36DGD-250I	524288 words	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.25	BGA	Tray	GS8162Z36	活跃	Volatile	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	5.5 ns	-40°C ~ 100°C (TJ)		-			3A991.B.2.B					FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41		SRAM - Synchronous, ZBT	2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	18Mbit		SYNCHRONOUS	250 MHz	250 mA, 270 mA	5.5 ns	SRAM	Parallel		512 k x 36		1.4 mm	36	-					18874368 bit		PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V		512K x 36	15 mm	13 mm
GS8182D36BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	BGA-165	YES	165	165-FPBGA (15x13)	165	Details	DDR	Tray	GSI Technology Inc.	GS8182D36	活跃	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8182D36BGD-300I	524288 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	4.65	BGA	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	-40°C ~ 85°C (TA)	Tray	GS8182D36BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Quad Port, Synchronous	1.7V ~ 1.9V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	18 Mbit		SYNCHRONOUS	300 MHz	605 mA		SRAM	Parallel		512 k x 36		1.4 mm	36	-		SRAM			18874368 bit		PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM	512K x 36	15 mm	13 mm
GS8321Z36AGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	BGA-165	YES	165	165-FPBGA (15x13)	165	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	SDR	Details	NBT SRAM	GSI Technology Inc.	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	2.3 V	18	- 40 C	3.6 V	+ 85 C	Tray	GS8321Z	活跃	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	有	GS8321Z36AGD-250I	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	4.61	BGA	Industrial grade	181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8321Z36AGD	e1	有	3A991.B.2.B	NBT	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE		Memory & Data Storage	SRAM - Synchronous, ZBT	2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格			36 Mbit	4	SYNCHRONOUS	250 MHz	250 mA, 305 mA	5.5 ns	SRAM	Parallel	Flow-Through/Pipelined	1 M x 36		1.4 mm	36	-	20 Bit	SRAM	36 Mbit		37748736 bit	Industrial	PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM	1M x 36	15 mm	13 mm
GS816036DGT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	表面贴装	TQFP-100	YES	100	100-TQFP (20x14)	100	Synchronous	512 kWords/kB	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 100 C	3.6 V	- 40 C	36	GSI Technology Inc.	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Tray	GS816036	活跃	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	5.5 ns	85 °C	有	GS816036DGT-250I	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.74	QFP	Industrial grade	181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	-40 to 85 °C	Tray	GS816036DGT			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through				FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Synchronous, Standard	2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V	QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100			INDUSTRIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	250 MHz	250 mA, 270 mA	5.5 ns	SRAM	Parallel	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36		1.6 mm	36	-	20 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Industrial	PARALLEL		缓存SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM	512K x 36	20 mm	14 mm
GS816218DGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	表面贴装	BGA-165	YES	165	165-FPBGA (15x13)	165	SDR	Tray	GSI Technology Inc.	GS816218	活跃	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	5.5 ns	85 °C	有	GS816218DGD-250I	1048576 words	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.25	BGA	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	-40°C ~ 100°C (TJ)	Tray	GS816218DGD			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through		100 °C	-40 °C	ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Synchronous, Standard	2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165			INDUSTRIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	250 MHz	230 mA, 250 mA	5.5 ns	SRAM	Parallel		1 M x 18		1.4 mm	18	-	20 b	SRAM	18 Mb		18874368 bit		PARALLEL		缓存SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM	1M x 18	15 mm	13 mm	无
GS8342T36BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	BGA-165	165	165-FPBGA (15x13)	GSI Technology Inc.	GS8342T	活跃	Industrial grade				1.9 V	36 Bit	Synchronous	1.7 V	1.8000 V	300 MHz	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaCIO DDR-II	Details	DDR	Tray	-40 to 100 °C	Tray	GS8342T36BGD				SigmaDDR-II B2		100 °C	-40 °C			Memory & Data Storage	SRAM - Quad Port, Synchronous, DDR II	1.8 V											36 Mbit	1		300 MHz	580 mA	0.45	SRAM	Parallel		1 M x 36				-	20 b	SRAM	36 Mb		36	Industrial							SRAM	1M x 36			无
GS8182D09BD-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	Synchronous	2 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	375 MHz	+ 70 C	1.9 V		0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	无	GS8182D09BD-375	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.33	BGA	Commercial grade			375 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	0 to 70 °C	Tray	GS8182D09BD	e0	无	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Lead (Sn/Pb)	70 °C	0 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS		680 mA				Pipelined	2 M x 9		1.4 mm	9		19 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Commercial	PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM		15 mm	13 mm	无
GS816136DD-250V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	Compliant	有	250 MHz	+ 70 C	2.7 V		0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	BGA	5.26	GSI TECHNOLOGY	活跃	RECTANGULAR	LBGA	1.8 V	GS816136DD-250V	无	70 °C	5.5 ns	未说明	PLASTIC/EPOXY	512000	GRID ARRAY, LOW PROFILE	LBGA,	Commercial grade			181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	0 to 85 °C	Bulk	GS816136DD			3A991.B.2.B	同步突发		85 °C	0 °C	ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165			COMMERCIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS		225 mA, 245 mA	5.5 ns			Flow-Through/Pipelined	512 k x 36		1.4 mm	36		19 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Commercial	PARALLEL		缓存SRAM		2 V	1.7 V	SRAM		15 mm	13 mm	无
GS8342T20BD-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V		- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS8342T20BD-350I	350 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.21	BGA	Industrial grade			350 MHz	FBGA	-40 to 100 °C	Bulk	GS8342T20BD	e0		3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+	Tin/Lead (Sn/Pb)	100 °C	-40 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	1	SYNCHRONOUS		575 mA				Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18		20 Bit	SRAM	36 Mbit	0.22 A	37748736 bit	Industrial	PARALLEL	COMMON	DDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM		15 mm	13 mm	无
GS8182D37BGD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40		GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	512000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8182D37BGD-333I	333 MHz	524288 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.21	BGA			Compliant	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		Tray	GS8182D37BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad II+	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85 °C	-40 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS		585 mA					512 k x 36	3-STATE	1.4 mm	36		17 b	SRAM	18 Mb	0.17 A	18874368 bit		PARALLEL	SEPARATE	DDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM		15 mm	10 mm	无