GSI Technology GS8162Z36DGD-250I
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GS8162Z36DGD-250I
2984-GS8162Z36DGD-250I
存储器
165-LBGA
大陆
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ZBT SRAM, 512KX36, 5.5ns, CMOS, PBGA165, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
1最小包装量--
GS8162Z36DGD-250I详情
GSI Technology GS8162Z36DGD-250I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
165-LBGA
表面安装
YES
引脚数
165
供应商器件包装
165-FPBGA (15x13)
终端数量
165
Package
Tray
Base Product Number
GS8162Z36
厂商
GSI Technology Inc.
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Maximum Clock Frequency
250 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Supply Voltage-Max
3.6 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Supply Voltage-Min
2.3 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Package Description
LBGA,
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
5.5 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
GS8162Z36DGD-250I
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
LBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
GSI技术
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Risk Rank
5.25
Part Package Code
BGA
操作温度
-40°C ~ 100°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
3A991.B.2.B
附加功能
FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY
HTS代码
8542.32.00.41
技术
SRAM - Synchronous, ZBT
电压 - 供电
2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
温度等级
INDUSTRIAL
内存大小
18Mbit
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
250 MHz
电源电流-最大值
250 mA, 270 mA
访问时间
5.5 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512 k x 36
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
36
写入周期时间 - 字符、页面
-
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
ZBT SRAM
电压 - 供电 (最大值)
2.7 V
电压 - 供电 (最小值)
2.3 V
组织的记忆
512K x 36
宽度
13 mm
长度
15 mm
GS8162Z36DGD-250I拓展信息
GSI Technology
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