GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量																厂商																																		操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别	组织的记忆	长度	宽度	辐射硬化
GS81302T19E-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	N	DDR-II								有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V		Tray	GS81302T19E				SigmaDDR-II+ B2						Memory & Data Storage													144 Mbit				690 mA					8 M x 18						SRAM											SRAM
GS882Z18CD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR								有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS882Z18CD				NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													9 Mbit				165 mA, 200 mA	5.5 ns				512 k x 18						SRAM											SRAM
GS8182T18BGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS8182R08BGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS8322Z36GE-250EV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1																																																				36
GS8182R18BGD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS71116AU-7E	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-48	Parallel	GSI技术	GSI技术	N							3.6 V		270	3 V	SMD/SMT			GS71116AU				Asynchronous						Memory & Data Storage													1 Mbit				145 mA	7 ns				64 k x 16						SRAM											SRAM
GS881E32CD-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR								有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS881E32CD				DCD Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													9 Mbit				150 mA, 160 mA	7.5 ns				256 k x 32						SRAM											SRAM
GS71116AU-8E	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-48	Parallel	GSI技术	GSI技术	N							3.6 V		270	3 V	SMD/SMT			GS71116AU				Asynchronous						Memory & Data Storage													1 Mbit				125 mA	8 ns				64 k x 16						SRAM											SRAM
GS8640Z18GT-167IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	100-LQFP	YES	100	100-TQFP (20x14)	100	LQFP,	GSI Technology Inc.	FLATPACK, LOW PROFILE	3	4000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	8 ns	85 °C	有	GS8640Z18GT-167IV	1.8 V	LQFP	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	4.89	QFP	Industrial grade	125@Flow-Through/167@Pipelined MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	Tray	GS8640Z	活跃	Volatile	-40 to 85 °C		-	e3	有	3A991.B.2.B		Matte Tin (Sn)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41		SRAM - Synchronous, ZBT	1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格		INDUSTRIAL	72Mbit	2	SYNCHRONOUS	167 MHz			SRAM	Parallel	Flow-Through/Pipelined	4MX18		1.6 mm	18	-	22 Bit		72 Mbit		75497472 bit	Industrial	PARALLEL		ZBT SRAM		2 V	1.7 V		4M x 18	20 mm	14 mm
GS8342TT20BGD-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	表面贴装	BGA-165	YES	165	165-FPBGA (15x13)	165	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	GSI Technology Inc.	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Tray	GS8342TT	活跃	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8342TT20BGD-500I	500 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	4.9	BGA	Industrial grade	500 MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS8342TT20BGD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+				流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Quad Port, Synchronous	1.7V ~ 1.9V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	1	SYNCHRONOUS	500 MHz	740 mA	450 ps	SRAM	Parallel	Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18	-	20 Bit	SRAM	36 Mbit		37748736 bit	Industrial	PARALLEL	COMMON	DDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	2M x 18	15 mm	13 mm
GS8342DT38BGD-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	表面贴装	BGA-165	YES	165	165-FPBGA (15x13)	165	500 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	GSI Technology Inc.	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	活跃	GS8342D	Tray	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8342DT38BGD-500I	500 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	Industrial grade	-40 to 100 °C	Tray	GS8342DT38BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)					Memory & Data Storage	SRAM - Quad Port, Synchronous	1.7V ~ 1.9V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	500 MHz	1.125 A		SRAM	Parallel	Pipelined	1 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36	-	18 Bit	SRAM	36 Mbit		37748736 bit	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	1M x 36	15 mm	13 mm
GS8673EQ36BGK-675I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	BGA-260	YES	260	260-BGA (22x14)	260	2 MWords	36 Bit	1.4 V	表面贴装	Non-Compliant	有	675 MHz	+ 100 C	1.4 V	GSI Technology Inc.	- 40 C	8	1.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-IIIe	QDR-III	Tray	GS8673EQ	活跃	HBGA,	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.4 ns	有	GS8673EQ36BGK-675I	1.35 V	HBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.73	Industrial grade	675 MHz	BGA	QDR	1.3500 V	1.3 V	Synchronous	-40 to 85 °C	Tray	GS8673EQ36BGK			3A991.B.2.B	SigmaQuad-IIIe B2					8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Quad Port, Synchronous	1.3V ~ 1.4V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B260				72 Mbit	1	SYNCHRONOUS	675 MHz	3.17 A		SRAM	Parallel	Pipelined	2 M x 36		2.3 mm	36	-	20 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Industrial	PARALLEL		DDR SRAM		1.4 V	1.3 V	SRAM	2M x 36	22 mm	14 mm
GS8673ED36BGK-675I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	BGA-260	YES	260	260-BGA (22x14)	260	36 Bit	1.4 V	表面贴装	有	675 MHz	+ 100 C	1.4 V	- 40 C	GSI Technology Inc.	8	1.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-IIIe	Details	DDR	Tray	GS8673ED	活跃	HBGA,	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	有	GS8673ED36BGK-675I	1.35 V	HBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.44	Industrial grade	675/450 MHz	BGA	QDR	1.3500 V	1.3 V	Synchronous	2 MWords	-40 to 85 °C	Tray	GS8673ED36BGK			3A991.B.2.B	SigmaQuad-IIIe B4					8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Quad Port, Synchronous	1.3V ~ 1.4V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B260				72 Mbit		SYNCHRONOUS	675 MHz	3.17 A	0.4	SRAM	Parallel	Pipelined	2 M x 36		2.3 mm	36	-	19 Bit	SRAM	72 Mbit		72	Industrial	PARALLEL		DDR SRAM		1.4 V	1.3 V	SRAM	2M x 36	22 mm	14 mm
GS8662R36BGD-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	BGA-165	165	165-FPBGA (15x13)	GSI Technology Inc.	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaCIO DDR-II	Details	DDR	Tray	GS8662R	活跃	Industrial grade				350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8662R36BGD				SigmaDDR-II B4						Memory & Data Storage	SRAM - Quad Port, Synchronous, DDR II	1.7V ~ 1.9V											72 Mbit	1		350 MHz	765 mA		SRAM	Parallel	Pipelined	2 M x 36				-	21 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM	2M x 36
GS8662R36BGD-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	BGA-165	165	165-FPBGA (13x15)	GSI Technology Inc.	SigmaDDR-II	Details	DDR	Tray	GS8662R	活跃	Industrial grade				400 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	表面贴装	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	-40 to 100 °C	Tray	GS8662R36BGD				SigmaDDR-II B4						Memory & Data Storage	SRAM - Quad Port, Synchronous, DDR II	1.7V ~ 1.9V											72 Mbit	1		400 MHz	810 mA		SRAM	Parallel	Pipelined	2 M x 36				-	21 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM	2M x 36
GS882Z36CGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	BGA-165	YES	165	165-FPBGA (15x13)	165	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	GSI Technology Inc.	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	Details	Tray	GS882Z36	活跃	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	5 ns	85 °C	有	GS882Z36CGD-300I	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.12	BGA	Industrial grade	200@Flow-Through/300@Pipelined MHz	FBGA	-40 to 85 °C	Tray	GS882Z36CGD	e1	有	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Synchronous, ZBT	2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	9 Mbit	4	SYNCHRONOUS	300 MHz	185 mA, 245 mA	5 ns	SRAM	Parallel	Flow-Through/Pipelined	256 k x 36		1.4 mm	36	-	18 Bit	SRAM	9 Mbit		9437184 bit	Industrial	PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM	256K x 36	15 mm	13 mm
GS81302TT20GE-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	165-LBGA	YES	165	165-FPBGA (15x17)	165	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	Tray	GS81302TT20	活跃	Volatile	GSI Technology Inc.	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	8000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS81302TT20GE-500I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	不推荐	GSI TECHNOLOGY	7.62	BGA	Industrial grade	500 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	-40 to 100 °C	Bulk	-	e1	有	3A991.B.2.B		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	100 °C	-40 °C	流水线结构	8542.32.00.41		SRAM - Quad Port, Synchronous	1.8 V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	144Mbit	1	SYNCHRONOUS	500 MHz	1.08 A	450 ps	SRAM	Parallel	Pipelined	8 M x 18		1.5 mm	18	-	22 Bit		144 Mbit		150994944 bit	Industrial	PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V		8M x 18	17 mm	15 mm	无
GS8182R36BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	165-LBGA	YES	165	165-FPBGA (15x13)	165	GSI Technology Inc.	4.67	BGA	Compliant	Tray	GS8182R36	活跃	Volatile	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8182R36BGD-300I	524288 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	-40°C ~ 85°C (TA)		-	e1	有	3A991.B.2.B		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85 °C	-40 °C	流水线结构	8542.32.00.41		SRAM - Synchronous, DDR II	1.8 V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	18Mbit	1	SYNCHRONOUS	300 MHz			SRAM	Parallel		512KX36		1.4 mm	36	-	19 b		18 Mb		18874368 bit		PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V		512K x 36	15 mm	13 mm	无
GS8342QT19BGD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	表面贴装	BGA-165	YES	165	165-FPBGA (15x13)	165	333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	表面贴装	1.9 V	18 Bit	2 MWords	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	GSI Technology Inc.	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Tray	GS8342Q	活跃	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8342QT19BGD-333I	333 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Industrial grade	-40 to 100 °C	Tray	GS8342QT19BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B2	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	100 °C	-40 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Quad Port, Synchronous	1.8 V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	333 MHz	895 mA		SRAM	Parallel	Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18	-	20 Bit	SRAM	36 Mbit		37748736 bit	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	2M x 18	15 mm	13 mm	无
GS864036GT-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	Compliant	有	250 MHz	+ 85 C	2.7 V		- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	有	GS864036GT-250IV	1.8 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.37	QFP	Industrial grade			153.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP	SDR	-40 to 85 °C	Tray	GS864036GT	e3	有	3A991.B.2.B	同步突发	Matte Tin (Sn)	85 °C	-40 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格		INDUSTRIAL	72 Mbit	4	SYNCHRONOUS		275 mA, 380 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined	2 M x 36		1.6 mm	36		21 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Industrial	PARALLEL		缓存SRAM		2 V	1.7 V	SRAM		20 mm	14 mm	无
GS8160E18DGT-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Commercial grade						222.2@Flow-Through/333@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	Compliant	有	333 MHz	+ 85 C	3.6 V		0 C	36	0 to 85 °C	Bulk	GS8160E18DGT				Pipeline/Flow Through		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage													18 Mbit	2			240 mA, 285 mA	4.5 ns			Flow-Through/Pipelined	1 M x 18					21 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial							SRAM				无
GS8342D07BD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	Commercial grade						400 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	表面贴装	1.9 V	Compliant	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V		0 C	15	0 to 70 °C	Tray	GS8342D07BD				SigmaQuad-II+ B4		70 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											36 Mbit	2			705 mA				Pipelined	4 M x 8					20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM				无
GS8342QT37BD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	Industrial grade						333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V		- 40 C	15	-40 to 100 °C	Bulk	GS8342QT37BD				SigmaQuad-II+ B2		100 °C	-40 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											36 Mbit	2			1.02 A				Pipelined	1 M x 36					19 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM				无
GS840H36AGT-100	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	YES	100	100				Compliant	LQFP, QFP100,.63X.87	FLATPACK, LOW PROFILE	3	128000	PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	未说明	12 ns	70 °C	有	GS840H36AGT-100	100 MHz	131072 words	3.3 V		LQFP	RECTANGULAR	GSI技术	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.69	QFP				e3	有	3A991.B.2.B		纯哑光锡	70 °C	0 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS	3.3 V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格	2.5/3.3,3.3 V	COMMERCIAL		4	SYNCHRONOUS		0.19 mA					128KX36	3-STATE	1.6 mm	36		17 b		4.5 Mb	0.02 A	4718592 bit		PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	3.14 V	3.6 V	3 V			20 mm	14 mm	无