GSI Technology GS8182R36BGD-300I
- 收藏
- 对比
GS8182R36BGD-300I
2984-GS8182R36BGD-300I
存储器
165-LBGA
大陆
立即发货

DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
1最小包装量--
GS8182R36BGD-300I详情
GSI Technology GS8182R36BGD-300I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
165-LBGA
表面安装
YES
引脚数
165
供应商器件包装
165-FPBGA (15x13)
终端数量
165
RoHS
Compliant
Package
Tray
Base Product Number
GS8182R36
厂商
GSI Technology Inc.
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Description
LBGA,
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.45 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
GS8182R36BGD-300I
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
LBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
GSI技术
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Risk Rank
4.67
Part Package Code
BGA
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
-
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
3A991.B.2.B
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
技术
SRAM - Synchronous, DDR II
电压 - 供电
1.8 V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
温度等级
INDUSTRIAL
内存大小
18Mbit
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
300 MHz
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512KX36
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
36
写入周期时间 - 字符、页面
-
地址总线宽度
19 b
密度
18 Mb
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
DDR SRAM
电压 - 供电 (最大值)
1.9 V
电压 - 供电 (最小值)
1.7 V
组织的记忆
512K x 36
宽度
13 mm
长度
15 mm
辐射硬化
无
GS8182R36BGD-300I拓展信息
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology







哦! 它是空的。