GSI Technology GS81302TT20GE-500I

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

165-LBGA

表面安装

YES

引脚数

165

供应商器件包装

165-FPBGA (15x17)

终端数量

165

Maximum Clock Rate

500 MHz

Supplier Package

FBGA

Data Rate Architecture

DDR

Typical Operating Supply Voltage

1.8000 V

Minimum Operating Supply Voltage

1.7 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

8 MWords

Number of I/O Lines

18 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

1.9 V

Mounting

表面贴装

RoHS

Compliant

Package

Tray

Base Product Number

GS81302TT20

厂商

GSI Technology Inc.

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Maximum Clock Frequency

500 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

1.9 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Supply Voltage-Min

1.7 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Package Description

LBGA,

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

8000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

0.45 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GS81302TT20GE-500I

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

LBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

GSI技术

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

7.62

Part Package Code

BGA

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40 to 100 °C

包装

Bulk

系列

-

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.B

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

100 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

流水线结构

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Quad Port, Synchronous

电压 - 供电

1.8 V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

144Mbit

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

500 MHz

电源电流-最大值

1.08 A

访问时间

450 ps

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

建筑学

Pipelined

组织结构

8 M x 18

座位高度-最大

1.5 mm

内存宽度

18

写入周期时间 - 字符、页面

-

地址总线宽度

22 Bit

密度

144 Mbit

记忆密度

150994944 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

DDR SRAM

电压 - 供电 （最大值）

1.9 V

电压 - 供电 （最小值）

1.7 V

组织的记忆

8M x 18

宽度

15 mm

长度

17 mm

辐射硬化

无