品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

筛选水平

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

输出启用

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

709079S15PF
709079S15PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

325mA

RAM, SRAM

2010

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

5V

QUAD

FLAT

240

1

0.5mm

28.5MHz

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

2

30 ns

3-STATE

30b

256 kb

0.015A

COMMON

Synchronous

8b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7130LA55PF8
7130LA55PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

110mA

RAM, SDR, SRAM

2013

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

1kB

2

55 ns

20b

8 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7008L35J
7008L35J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

255mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2010

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

64kB

2

35 ns

64KX8

3-STATE

32b

512 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.57mm

29.21mm

29.21mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V016SA20Y8
IDT71V016SA20Y8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2007

e0

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

J BEND

225

1

1.27mm

not_compliant

30

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

1

0.12mA

64KX16

3-STATE

16

0.01A

1048576 bit

20 ns

COMMON

3.15V

3.6V

3V

YES

3.683mm

28.575mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

71T75602S150BGG8
71T75602S150BGG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

BGA

119

215mA

150MHz

RAM, SDR, SRAM

2012

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

流水线结构

2.5V

BOTTOM

BALL

260

1

150MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

2.3MB

1

3.8 ns

3-STATE

19b

18 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

2.38V

2.625V

2.375V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71P71604S200BQ8
IDT71P71604S200BQ8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

165

DDR, RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2007

3A991.B.2.A

70°C

0°C

8542.32.00.41

not_compliant

200MHz

Parallel

Non-RoHS Compliant

IDT71V416VL15BEGI
IDT71V416VL15BEGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TFBGA

48

160mA

RAM, SRAM - Asynchronous

2005

e1

3 (168 Hours)

48

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

0.75mm

30

不合格

INDUSTRIAL

Parallel

1

15 ns

3-STATE

16

18b

4 Mb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

9mm

符合RoHS标准

70T659S10DR
70T659S10DR
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PQFP

208

405mA

RAM, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

2.5V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

2

10 ns

3-STATE

34b

4.5 Mb

0.01A

COMMON

Asynchronous

36b

2.6V

2.4V

4.1mm

28mm

28mm

3.5mm

符合RoHS标准

含铅

70V24L35PF8
70V24L35PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

155mA

RAM, SDR, SRAM

2004

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

35 ns

4KX16

3-STATE

24b

64 kb

COMMON

Asynchronous

16b

2V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7038L20PFI8
7038L20PFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

360mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

活跃

85°C

-40°C

5V

Parallel

2

20 ns

16b

1.1 Mb

Asynchronous

18b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71T75602S100PFI
IDT71T75602S100PFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2015

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

流水线结构

8542.32.00.41

2.5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

100MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

2.5V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.195mA

512KX36

3-STATE

36

0.06A

18874368 bit

5 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

1.6mm

20mm

14mm

符合RoHS标准

7140LA55PF8
7140LA55PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

110mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2013

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

2

55 ns

1KX8

3-STATE

20b

8 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V9099L6PF8
70V9099L6PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

280mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

100MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

2

15 ns

3-STATE

34b

1 Mb

COMMON

Synchronous

8b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71P71804S200BQ8
IDT71P71804S200BQ8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

DDR, RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2007

e0

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

8542.32.00.41

1.8V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

not_compliant

200MHz

20

不合格

1.5/1.81.8V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.55mA

1MX18

3-STATE

18

0.3A

18874368 bit

0.45 ns

COMMON

1.7V

1.9V

1.7V

1.2mm

15mm

13mm

Non-RoHS Compliant

70V261L25PFGI8
70V261L25PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

185mA

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

32kB

2

25 ns

16KX16

3-STATE

28b

256 kb

0.003A

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70V3379S5BFI
70V3379S5BFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

YES

208

RAM, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

20

INDUSTRIAL

Parallel

2

100MHz

0.415mA

3-STATE

30b

576 kb

0.03A

5 ns

COMMON

3.15V

3.45V

3.15V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

6116SA45DB
6116SA45DB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

CDIP

NO

24

Military grade

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Bulk

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

24

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

5V

DUAL

THROUGH-HOLE

240

1

2.54mm

20

5V

MILITARY

Parallel

2kB

1

45 ns

2KX8

3-STATE

11b

16 kb

MIL-STD-883 Class B

COMMON

5.5V

4.5V

4.826mm

32mm

15.24mm

2.9mm

符合RoHS标准

含铅

71V65803S100BQG8
71V65803S100BQG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

YES

165

RAM, SRAM

Tape & Reel

2005

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

100MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1

0.25mA

3-STATE

19b

9 Mb

0.04A

5 ns

COMMON

3.465V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V67602S166BG8
IDT71V67602S166BG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2009

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

not_compliant

166MHz

未说明

不合格

2.53.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.34mA

256KX36

3-STATE

36

0.05A

9437184 bit

3.5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V67602S150BG
IDT71V67602S150BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

2009

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

not_compliant

150MHz

未说明

不合格

2.53.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.325mA

256KX36

3-STATE

36

0.05A

9437184 bit

3.8 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

Non-RoHS Compliant

70V631S15BF8
70V631S15BF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

440mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

20

COMMERCIAL

Parallel

2

15 ns

3-STATE

18b

4.5 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

18b

3.45V

3.15V

1.7mm

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V3569S5BFI8
70V3569S5BFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

415mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

100MHz

20

INDUSTRIAL

Parallel

2

5 ns

16KX36

3-STATE

14b

576 kb

0.03A

COMMON

Synchronous

36b

3.45V

3.15V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V639S12BFI
70V639S12BFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

515mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

20

INDUSTRIAL

Parallel

256kB

2

12 ns

3-STATE

34b

2.3 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

18b

3.45V

3.15V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V67703S75BQ
71V67703S75BQ
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

165

265mA

117MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

117MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

1

7.5 ns

256KX36

3-STATE

18b

9 Mb

0.05A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71T016SA12PH
IDT71T016SA12PH
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSOP

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

2008

e0

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

2.5V

DUAL

鸥翼

225

1

0.8mm

not_compliant

20

R-PDSO-G44

不合格

2.5V

COMMERCIAL

Parallel

0.15mA

64KX16

3-STATE

16

0.015A

1048576 bit

12 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

1.2mm

18.41mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant