品牌是'Micron Technology' (10000)
对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | Current - Supply (Nom) | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | JESD-30代码 | 资历状况 | 电源 | 温度等级 | 电压 | 界面 | 内存大小 | 端口的数量 | 操作模式 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 筛选水平 | 访问时间(最大) | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 电压 - 供电 (最大值) | 电压 - 供电 (最小值) | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 访问模式 | 自我刷新 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||
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![]() | M58LT256KSB8ZA6E | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 64-TBGA | 64 | 64-TBGA (10x13) | 27mA | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2010 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 85°C | -40°C | 1.8V | M58LT256 | Parallel, Serial | 256Mb 16M x 16 | 52MHz | 85ns | FLASH | Parallel | 85ns | 24b | 256 Mb | Asynchronous | 16b | 2V | 1.7V | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MT53D512M64D4RQ-046 WT:E | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 556-WFBGA | Volatile | -30°C~85°C TC | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 1.1V | 32Gb 512M x 64 | 2133MHz | DRAM | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MT46V16M16TG-6T:K | Micron | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | YES | 66 | 66 | Non-Compliant | TSOP | 220 mA | 5.61 | MICRON TECHNOLOGY INC | Obsolete | Micron Technology Inc | RECTANGULAR | TSSOP | 2.6 V | 16777216 words | 167 MHz | MT46V16M16TG-6T:K | 无 | 70 °C | 0.7 ns | 30 | TSSOP66,.46 | PLASTIC/EPOXY | 16000000 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | TSSOP, TSSOP66,.46 | e0 | 无 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 70 °C | 0 °C | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.24 | DRAMs | CMOS | 2.5 V | DUAL | 鸥翼 | 235 | 1 | 0.65 mm | not_compliant | R-PDSO-G66 | 不合格 | 2.5 V | COMMERCIAL | 1 | SYNCHRONOUS | 0.27 mA | 700 ps | 16 b | 16MX16 | 3-STATE | 1.2 mm | 16 | 15 b | 256 Mb | 0.004 A | 268435456 bit | 333 MHz | COMMON | DDR DRAM | 2.7 V | 2.3 V | 8192 | 2,4,8 | 2,4,8 | 四库页面突发 | YES | 22.22 mm | 10.16 mm | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MT46V32M8TG-6T:G | Micron | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 66 | 66 | 0.40 INCH, PLASTIC, TSOP-66 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 32000000 | PLASTIC/EPOXY | TSSOP66,.46 | 30 | 0.7 ns | 70 °C | 无 | MT46V32M8TG-6T:G | 133 MHz | 33554432 words | 2.5 V | TSSOP | RECTANGULAR | Micron Technology Inc | Obsolete | MICRON TECHNOLOGY INC | 8.54 | TSOP | e0 | 无 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.24 | DRAMs | CMOS | 2.5 V | DUAL | 鸥翼 | 235 | 1 | 0.65 mm | unknown | R-PDSO-G66 | 不合格 | 2.5 V | COMMERCIAL | 1 | SYNCHRONOUS | 0.41 mA | 32MX8 | 3-STATE | 1.2 mm | 8 | 0.004 A | 268435456 bit | COMMON | DDR DRAM | 2.7 V | 2.3 V | 8192 | 2,4,8 | 2,4,8 | 四库页面突发 | YES | 22.22 mm | 10.16 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PC28F256P30BFF | Micron | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | EOL (Last Updated: 2 years ago) | 64 | 31 mA | NOR | 1.6777216e+07 | Compliant | Tape & Reel | 85 °C | -40 °C | 1.8 V | 1.7 V | Parallel, Serial | 100 ns | 24 b | 256 Mb | Asynchronous | 16 b | 2 V | 1.7 V | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M29W160EB90N6 | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 48 | 10mA | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 1998 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | 3V | DUAL | 1 | 0.5mm | not_compliant | M29W160 | 16Mb 2M x 8 1M x 16 | FLASH | Parallel | 1MX16 | 16 | 90ns | 16 Mb | 90 ns | Asynchronous | 3V | 8 | 3.6V | 2.7V | BOTTOM | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MT29F32G08AECBBH1-12IT:B | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-VBGA | 100 | 100-VBGA (12x18) | 50mA | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Bulk | 2004 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 85°C | -40°C | 3.3V | MT29F32G08 | Parallel, Serial | 32Gb 4G x 8 | 83MHz | FLASH | Parallel | 1b | 32 Gb | Asynchronous | 8b | 3.6V | 2.7V | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MT25QU01GBBB8E12-0AUT TR | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 5 Weeks | 表面贴装 | 24-TBGA | Non-Volatile | Automotive grade | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | Automotive, AEC-Q100 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 1.7V~2V | 1Gb 128M x 8 | 133MHz | FLASH | SPI | 8ms, 2.8ms | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MT47H128M16RT-3IT:C | Micron | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 84 | 84 | TFBGA, BGA84,9X15,32 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 128000000 | PLASTIC/EPOXY | BGA84,9X15,32 | -40 °C | 30 | 0.45 ns | 85 °C | 有 | MT47H128M16RT-3IT:C | 333 MHz | 134217728 words | 1.8 V | TFBGA | RECTANGULAR | Micron Technology Inc | 活跃 | MICRON TECHNOLOGY INC | 5.14 | BGA | e1 | 有 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.36 | DRAMs | CMOS | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | 0.8 mm | compliant | R-PBGA-B84 | 不合格 | 1.8 V | INDUSTRIAL | 1 | SYNCHRONOUS | 0.395 mA | 128MX16 | 3-STATE | 1.2 mm | 16 | 0.008 A | 2147483648 bit | COMMON | DDR DRAM | 1.9 V | 1.7 V | 8192 | 4,8 | 4,8 | 多库页面突发 | YES | 12.5 mm | 9 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MT47H32M16HR-3L:F | Micron | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | YES | 84 | 84 | Compliant | TFBGA, BGA84,9X15,32 | 250 mA | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 32000000 | PLASTIC/EPOXY | BGA84,9X15,32 | 30 | 0.45 ns | 85 °C | 有 | MT47H32M16HR-3L:F | 333 MHz | 33554432 words | 1.8 V | TFBGA | RECTANGULAR | Micron Technology Inc | Obsolete | MICRON TECHNOLOGY INC | 5.61 | BGA | e1 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 85 °C | 0 °C | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.28 | DRAMs | CMOS | 1.8 V | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | 0.8 mm | unknown | R-PBGA-B84 | 不合格 | 1.8 V | OTHER | 1 | SYNCHRONOUS | 0.35 mA | 450 ps | 32MX16 | 3-STATE | 1.2 mm | 16 | 15 b | 512 Mb | 0.007 A | 536870912 bit | 667 MHz | COMMON | DDR DRAM | 1.9 V | 1.7 V | 8192 | 4,8 | 4,8 | 四库页面突发 | YES | 12.5 mm | 8 mm | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RC28F256P30B85A | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 64-TBGA | YES | 64 | 28mA | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2009 | StrataFlash™ | Obsolete | 3 (168 Hours) | 64 | 1.8V | BOTTOM | 1mm | 28F256P30 | 1.81.8/3.3V | 1.7V | Parallel, Serial | 256Mb 16M x 16 | 52MHz | FLASH | Parallel | 16MX16 | 16 | 85ns | 24b | 256 Mb | 0.000115A | 85 ns | Asynchronous | 16b | NO | NO | 4255 | 4words | BOTTOM | 无 | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MT47H64M8CB-37E:B | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 60-FBGA | 60 | 145mA | Volatile | 0°C~85°C TC | Tray | 2006 | e1 | Obsolete | 5 (48 Hours) | 60 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.28 | 1.8V | BOTTOM | 260 | 1 | 0.8mm | not_compliant | 30 | MT47H64M8 | 不合格 | 512Mb 64M x 8 | 1 | SYNCHRONOUS | 267MHz | 500ps | DRAM | Parallel | 64MX8 | 3-STATE | 8 | 15ns | 16b | 512 Mb | 0.007A | COMMON | 1.9V | 1.7V | 8192 | 48 | 48 | 1.2mm | 12mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MT47H128M8CF-25E:H | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 60-TFBGA | 60 | 125mA | Volatile | 0°C~85°C TC | Tray | 2012 | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 60 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.32 | 1.8V | BOTTOM | 260 | 1 | 0.8mm | 30 | MT47H128M8 | 1Gb 128M x 8 | 1 | 400MHz | 400ps | DRAM | Parallel | 8b | 128MX8 | 3-STATE | 8 | 15ns | 17b | 1 Gb | 800MHz | COMMON | 1.9V | 1.7V | 8192 | 48 | 48 | 1.2mm | 10mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M29F800FB55N3E2 | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Tin | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 48 | 20mA | Non-Volatile | Automotive grade | -40°C~125°C TA | Tray | 2009 | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991 | 底部启动区块 | 8542.32.00.51 | 5V | DUAL | 260 | 1 | 0.5mm | 30 | M29F800 | 5V | 4.5V | 8Mb 1M x 8 512K x 16 | FLASH | Parallel | 512KX16 | 16 | 55ns | 8 Mb | 0.00012A | AEC-Q100 | 55 ns | Asynchronous | 8 | YES | YES | YES | 12115 | 16K8K32K64K | YES | BOTTOM | YES | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M29W256GL70ZA6E | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 64-TBGA | YES | 64 | 10mA | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2013 | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 64 | 3A991.B.1.A | 锡银铜 | 8542.32.00.51 | 3V | BOTTOM | 260 | 1 | 1mm | 30 | M29W256 | 3/3.3V | 2.7V | 256Mb 32M x 8 16M x 16 | FLASH | Parallel | 16MX16 | 16 | 70ns | 256 Mb | 0.0001A | 70 ns | Asynchronous | 0.00007ms | 8 | YES | YES | YES | 256 | 128K | 8/16words | YES | YES | 1.2mm | 13mm | 10mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MTFC32GAKAEDQ-AIT TR | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 100-LBGA | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | e•MMC™ | 活跃 | 3 (168 Hours) | 2.7V~3.6V | 256Gb 32G x 8 | FLASH | MMC | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M29W320ET70ZS6E | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 64-LBGA | YES | 64 | 10mA | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2009 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 64 | 3.3V | BOTTOM | 1 | 1mm | M29W320 | 2.7V | 32Mb 4M x 8 2M x 16 | FLASH | Parallel | 2MX16 | 16 | 70ns | 32 Mb | 0.0001A | 70 ns | Asynchronous | 8 | YES | YES | YES | 863 | YES | TOP | YES | 1.4mm | 13mm | 11mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M25P20-VMP6GB | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-VDFN Exposed Pad | 8 | 8mA | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2013 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | 3.3V | DUAL | 260 | 1 | 1.27mm | 30 | M25P20 | 2.7V | SPI, Serial | 2Mb 256K x 8 | 75MHz | 8 ns | FLASH | SPI | 2MX1 | 1 | 15ms, 5ms | 1b | 2 Mb | 0.000005A | Synchronous | 8b | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 256B | 0.9mm | 6mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MT48LC64M4A2BB-7E:D | Micron | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Compliant | Bulk | 70 °C | 0 °C | 3.3 V | 143 MHz | 244.1 MB | 5.4 ns | 4 b | 15 b | 256 Mb | 143 MHz | 无 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MT46V16M16CY-6:K | Micron | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | YES | 60 | 60 | Compliant | TBGA, BGA60,9X12,40/32 | 270 mA | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 16000000 | PLASTIC/EPOXY | BGA60,9X12,40/32 | 30 | 0.7 ns | 70 °C | 有 | MT46V16M16CY-6:K | 167 MHz | 16777216 words | 2.5 V | TBGA | RECTANGULAR | Micron Technology Inc | Obsolete | MICRON TECHNOLOGY INC | 5.44 | BGA | e1 | 有 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 70 °C | 0 °C | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.24 | DRAMs | CMOS | 2.5 V | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | 1 mm | compliant | R-PBGA-B60 | 不合格 | 2.5 V | COMMERCIAL | 1 | SYNCHRONOUS | 0.27 mA | 700 ps | 16 b | 16MX16 | 3-STATE | 1.2 mm | 16 | 15 b | 256 Mb | 0.004 A | 268435456 bit | 333 MHz | COMMON | DDR DRAM | 2.7 V | 2.3 V | 8192 | 2,4,8 | 2,4,8 | 四库页面突发 | YES | 12.5 mm | 8 mm | 无 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | N25Q064A13ESED0F | Micron | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 8 | SOP, SOP8,.3 | 小概要 | 64000000 | PLASTIC/EPOXY | SOP8,.3 | -40 °C | 未说明 | 85 °C | 有 | N25Q064A13ESED0F | 108 MHz | 67108864 words | 3 V | SOP | SQUARE | Micron Technology Inc | Obsolete | MICRON TECHNOLOGY INC | 5.8 | NOR型号 | 闪存 | CMOS | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 1.27 mm | compliant | S-PDSO-G8 | 不合格 | 3/3.3 V | INDUSTRIAL | SYNCHRONOUS | 0.02 mA | 64MX1 | 2.16 mm | 1 | 0.0001 A | 67108864 bit | SERIAL | FLASH | 2.7 V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 3.6 V | 2.7 V | 5.285 mm | 5.285 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JS48F4400P0TB00A | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 56 | 56-TSOP | 28mA | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tray | 2007 | StrataFlash™ | Obsolete | 3 (168 Hours) | 85°C | -40°C | 2.3V~3.6V | 48F4400P0 | 2.3V | Parallel, Serial | 512Mb 32M x 16 | 40MHz | 85ns | FLASH | Parallel | 85ns | 25b | 512 Mb | Asynchronous | 16b | 3.6V | 2.3V | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JS28F256P30T95A | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 56 | 28mA | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2009 | StrataFlash™ | Obsolete | 3 (168 Hours) | 56 | 1.8V | DUAL | 0.5mm | 28F256P30 | 1.81.8/3.3V | 1.7V | Parallel, Serial | 256Mb 16M x 16 | 40MHz | FLASH | Parallel | 16MX16 | 16 | 95ns | 24b | 256 Mb | 0.000115A | 95 ns | Asynchronous | 16b | NO | NO | 4255 | 16K64K | 4words | TOP | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MT48LC4M32B2TG-6:G | Micron | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 86 | 86 | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 4000000 | PLASTIC/EPOXY | TSSOP86,.46,20 | 30 | 5.5 ns | TSOP2 | 8.59 | MICRON TECHNOLOGY INC | Obsolete | Micron Technology Inc | RECTANGULAR | TSOP2 | 3.3 V | 4194304 words | 166 MHz | MT48LC4M32B2TG-6:G | 无 | 70 °C | e0 | 无 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.02 | DRAMs | CMOS | DUAL | 鸥翼 | 235 | 1 | 0.5 mm | unknown | R-PDSO-G86 | 不合格 | 3.3 V | COMMERCIAL | 1 | SYNCHRONOUS | 0.32 mA | 4MX32 | 3-STATE | 1.2 mm | 32 | 0.002 A | 134217728 bit | COMMON | 同步剧 | 3.6 V | 3 V | 4096 | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8 | 四库页面突发 | YES | 22.22 mm | 10.16 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JS28F640P33B85A | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 56 | 28mA | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tray | 2007 | StrataFlash™ | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 56 | 3A991.B.1.A | 哑光锡 | 8542.32.00.51 | 3V | DUAL | 260 | 1 | 0.5mm | 30 | 28F640P33 | 2.3V | Parallel, Serial | 64Mb 4M x 16 | 40MHz | FLASH | Parallel | 4MX16 | 16 | 85ns | 22b | 64 Mb | 85 ns | Asynchronous | 16b | BOTTOM | 1.2mm | 18.4mm | 无 | ROHS3 Compliant |
M58LT256KSB8ZA6E
Micron Technology Inc.
分类:Memory
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E
Micron Technology Inc.
分类:Memory
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