Advanced BLV33

安装类型

Stud Mount

包装/外壳

DO-203AB, DO-5, Stud

表面安装

NO

供应商器件包装

DO-5

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

4 V

Pd - Power Dissipation

132 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

15

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Advanced Semiconductor, Inc.

Brand

Advanced Semiconductor, Inc.

Maximum DC Collector Current

20 A

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

33 V

Package Description

POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4

Package Style

POST/STUD MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Operating Temperature-Max

200 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

750 MHz

Manufacturer Part Number

BLV33

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ASI SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.09

系列

-

包装

Tray

ECCN 代码

EAR99

类型

射频双极功率

子类别

Transistors

技术

Standard

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-CRPM-F4

资历状况

不合格

工作频率

224 MHz

配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

975 mV @ 70 A

工作温度 - 结点

175°C (Max)

晶体管应用

AMPLIFIER

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

100 V

平均整流电流（Io）

70A

极性/通道类型

NPN

产品类别

射频双极晶体管

晶体管类型

双极电源

电容@Vr, F

300pF @ 10V, 1MHz

最大耗散功率(Abs)

132 W

集电极电流-最大值(IC)

12.5 A

最小直流增益（hFE）

15

连续集电极电流

12.5 A

集电极-发射器电压-最大值

33 V

最高频段

甚高频段

反向恢复时间(trr)

50 ns

产品类别

射频双极晶体管