Advanced BLW50F

包装/外壳

SOT-123

表面安装

NO

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

PEI-Genesis

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

4 V

Pd - Power Dissipation

87 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

19

Unit Weight

0.561650 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Manufacturer

Advanced Semiconductor, Inc.

Brand

Advanced Semiconductor, Inc.

Maximum DC Collector Current

7.5 A

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

55 V

Package Description

FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Operating Temperature-Max

200 °C

Manufacturer Part Number

BLW50F

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ASI SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

4.35

系列

*

包装

Tray

ECCN 代码

EAR99

类型

射频双极功率

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

O-CRFM-F4

资历状况

不合格

工作频率

30 MHz

配置

Single

极性/通道类型

NPN

产品类别

射频双极晶体管

晶体管类型

双极电源

最大耗散功率(Abs)

94 W

集电极电流-最大值(IC)

3.25 A

最小直流增益（hFE）

15

连续集电极电流

3.25 A

集电极-发射器电压-最大值

55 V

最高频段

甚高频段

集电极-基极电容-最大值

100 pF

产品类别

射频双极晶体管