Advanced MRF5176

包装/外壳

Case244-04

表面安装

NO

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Emitter- Base Voltage VEBO

4 V

Pd - Power Dissipation

30 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

10

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Advanced Semiconductor, Inc.

Brand

Advanced Semiconductor, Inc.

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

33 V

Package Description

POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4

Package Style

POST/STUD MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Operating Temperature-Max

200 °C

Manufacturer Part Number

MRF5176

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ASI SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.13

包装

Tray

ECCN 代码

EAR99

类型

射频双极功率

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-CRPM-F4

资历状况

不合格

工作频率

400 MHz

配置

SINGLE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

产品类别

射频双极晶体管

晶体管类型

双极电源

最大耗散功率(Abs)

30 W

集电极电流-最大值(IC)

2 A

最小直流增益（hFE）

10

连续集电极电流

2 A

集电极-发射器电压-最大值

33 V

最高频段

超高频段

集电极-基极电容-最大值

25 pF

产品类别

射频双极晶体管