Advanced Linear Devices Inc. ALD1107PBL

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

14-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

14

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

4

操作温度

0°C~70°C TJ

包装

Tube

已出版

2012

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

14

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

500mW

端子位置

DUAL

Reach合规守则

unknown

配置

COMMON SUBSTRATE, 4 ELEMENTS

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500mW

场效应管类型

4 P-Channel, Matched Pair

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1800 Ω @ 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 1μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3pF @ 5V

漏源电压 (Vdss)

10.6V

连续放电电流(ID)

2mA

栅极至源极电压(Vgs)

-13.2V

漏源击穿电压

-12V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant