Advanced Linear Devices Inc. ALD212900PAL
- 收藏
- 对比
ALD212900PAL
49-ALD212900PAL
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-DIP (0.300, 7.62mm)
大陆
立即发货

MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
1最小包装量--
ALD212900PAL详情
Advanced Linear Devices Inc. ALD212900PAL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
8-DIP (0.300, 7.62mm)
供应商器件包装
8-PDIP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80mA
操作温度
0°C~70°C TJ
包装
Tube
系列
EPAD®, Zero Threshold™
已出版
2014
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
最大功率耗散
500mW
功率 - 最大
500mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Rds On(Max)@Id,Vgs
14Ohm
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
20mV @ 20μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
30pF @ 5V
漏源电压 (Vdss)
10.6V
连续放电电流(ID)
80mA
输入电容
30pF
场效应管特性
逻辑电平门
最大rds
14 Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
ALD212900PAL拓展信息
Advanced Linear Devices Inc.
Advanced Linear Devices Inc.
Advanced Linear Devices Inc.
Advanced Linear Devices Inc.
Advanced Linear Devices Inc.
Advanced Linear Devices Inc.
Advanced Linear Devices Inc.
Advanced Linear Devices Inc.
Advanced Linear Devices Inc.
Advanced Linear Devices Inc.










哦! 它是空的。