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Advanced Power Technology APT1002RCN

Name: APT1002RCN
Brand: Advanced Power Technology
SKU: 42-APT1002RCN
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

APT1002RCN

品牌

Advanced Power Technology

utmel 编号

42-APT1002RCN

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN

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APT1002RCN Advanced Power Technology Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN

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APT1002RCN详情

技术参数

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Advanced Power Technology APT1002RCN重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

无
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
Package Description

FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Drain Current-Max (ID)

5.5 A
Number of Elements

1
Package Body Material

UNSPECIFIED
Package Shape

SQUARE
Package Style

FLANGE MOUNT
JESD-609代码

e0
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

锡铅
HTS代码

8541.29.00.95
端子位置

SINGLE
终端形式

PIN/PEG
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

S-XSFM-P3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

ISOLATED
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-254AA
漏极-源极导通最大电阻

2 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

22 A
DS 击穿电压-最小值

1000 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

150 W
环境耗散-最大值

150 W

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APT1002RCN拓展信息

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