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Advanced Power Technology APT30M30B2FLL

Name: APT30M30B2FLL
Brand: Advanced Power Technology
SKU: 42-APT30M30B2FLL
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

APT30M30B2FLL

品牌

Advanced Power Technology

utmel 编号

42-APT30M30B2FLL

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 300V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TMAX-3

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APT30M30B2FLL Advanced Power Technology Description: Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 300V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TMAX-3

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APT30M30B2FLL详情

技术参数

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Advanced Power Technology APT30M30B2FLL重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

无
Part Life Cycle Code

Transferred
Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3
Drain Current-Max (ID)

100 A
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

IN-LINE
JESD-609代码

e0
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

锡铅
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PSIP-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.03 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400 A
DS 击穿电压-最小值

300 V
雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

694 W

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APT30M30B2FLL拓展信息

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