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Advanced Power Technology APT5540BN

Name: APT5540BN
Brand: Advanced Power Technology
SKU: 42-APT5540BN
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

APT5540BN

品牌

Advanced Power Technology

utmel 编号

42-APT5540BN

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 550V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD

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APT5540BN Advanced Power Technology Description: Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 550V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD

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APT5540BN详情

技术参数

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Advanced Power Technology APT5540BN重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

无
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Drain Current-Max (ID)

18 A
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Max (toff)

141 ns
Turn-on Time-Max (ton)

74 ns
JESD-609代码

e0
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码

8541.29.00.95
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-247AD
漏极-源极导通最大电阻

0.4 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

72 A
DS 击穿电压-最小值

550 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

310 W
反馈上限-最大值 (Crss)

230 pF
环境耗散-最大值

310 W

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技术文档: Advanced Power Technology APT5540BN.

数据表 :
APTTS04602-1.pdf

APT5540BN拓展信息

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