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Advanced Power Technology MMBR951MLT1

Name: MMBR951MLT1
Brand: Advanced Power Technology
SKU: 42-MMBR951MLT1
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MMBR951MLT1

品牌

Advanced Power Technology

utmel 编号

42-MMBR951MLT1

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC PACKAGE-3

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MMBR951MLT1 Advanced Power Technology Description: RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC PACKAGE-3

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MMBR951MLT1详情

技术参数

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Advanced Power Technology MMBR951MLT1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

无
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
Transition Frequency-Nom (fT)

8000 MHz
JESD-609代码

e0
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

锡铅
附加功能

低噪音
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PDSO-G3
资历状况

不合格
配置

SINGLE
晶体管应用

AMPLIFIER
极性/通道类型

NPN
最大耗散功率(Abs)

0.322 W
集电极电流-最大值(IC)

0.1 A
最小直流增益（hFE）

50
集电极-发射器电压-最大值

10 V
最高频段

超高频段

0个相似型号

MMBR951MLT1拓展信息

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