MRF5812
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Advanced Power Technology MRF5812

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型号

MRF5812

utmel 编号

42-MRF5812

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, M240, SO-8

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MRF5812 Advanced Power Technology RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, M240, SO-8

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MRF5812详情

Advanced Power Technology MRF5812重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

  • Package Description

    PLASTIC, M240, SO-8

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    5000 MHz

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    低噪音

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.2 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    15 V

  • 最高频段

    超高频段

  • 集电极-基极电容-最大值

    2 pF

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技术文档: Advanced Power Technology MRF5812.

MRF5812拓展信息

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