Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1-5BIN
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AS4C16M16D1-5BIN
101-AS4C16M16D1-5BIN
存储器
60-TFBGA
大陆
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IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
1最小包装量--
AS4C16M16D1-5BIN详情
Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1-5BIN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-TFBGA
供应商器件包装
60-TFBGA (8x13)
Memory Types
Volatile
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
电压 - 供电
2.3V~2.7V
频率
200MHz
界面
Parallel
内存大小
256Mb 16M x 16
时钟频率
200MHz
访问时间
700ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AS4C16M16D1-5BIN拓展信息
Alliance Memory, Inc.
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