Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D2-25BCN
- 收藏
- 对比
AS4C64M16D2-25BCN
101-AS4C64M16D2-25BCN
存储器
84-TFBGA
大陆
立即发货

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
1最小包装量--
AS4C64M16D2-25BCN详情
Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D2-25BCN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
84-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
84
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~85°C TC
包装
Tray
已出版
2013
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
84
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.32
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
1Gb 64M x 16
端口的数量
1
时钟频率
400MHz
访问时间
400ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
64MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
13b
密度
1 Gb
长度
12.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
AS4C64M16D2-25BCN拓展信息
Alliance Memory, Inc.
Alliance Memory, Inc.
Alliance Memory, Inc.
Alliance Memory, Inc.
Alliance Memory, Inc.
Alliance Memory, Inc.
Alliance Memory, Inc.
Alliance Memory, Inc.
Alliance Memory, Inc.
Alliance Memory, Inc.









哦! 它是空的。